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| Artikelnummer: | CSD88537ND |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Texas Instruments |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $1.0944 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 3.6V @ 250µA |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | 8-SOIC |
| Serie | NexFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15mOhm @ 8A, 10V |
| Leistung - max | 2.1W |
| Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1400pF @ 30V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
| FET-Merkmal | - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 15A |
| Konfiguration | 2 N-Channel (Dual) |
| Grundproduktnummer | CSD88537 |
| CSD88537ND Einzelheiten PDF [English] | CSD88537ND PDF - EN.pdf |




CSD88537ND
Y-IC ist ein vertrauenswürdiger Distributor für Produkte der Marke Texas Instruments. Wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Serviceleistungen.
Der CSD88537ND ist ein dualer N-Kanal-MOSFET aus der NexFET™-Serie von Texas Instruments. Er zeichnet sich durch geringe Einschaltwiderstände und hohe Strombelastbarkeit aus, was ihn für vielfältige Anwendungen im Bereich Energiemanagement geeignet macht.
- Dualer N-Kanal-MOSFET
- Geringer RDS(on) von 15 mΩ bei 8 A und 10 V
- Hohe Dauer-Drain-Stromstärke von 15 A bei 25°C
- Weites Betriebstemperaturintervall von -55°C bis 150°C
- Oberflächenmontagegehäuse (8-SOIC)
- Effizientes Energiemanagement durch geringe Leitungsverluste
- Kompaktes Design mit platzsparendem SMD-Gehäuse
- Zuverlässiger Betrieb über einen großen Temperaturbereich
- Rollen- und Banderolverpackung (TR)
- Oberflächenmontagegehäuse 8-SOIC (0,154 Zoll, 3,90 mm Breite)
- Elektrische Eigenschaften: Drain-Source-Spannung (VDS) bis zu 60 V, Gate-Source-Spannung (VGS) bis zu ±20 V
- Thermische Eigenschaften: Maximale Verlustleistung von 2,1 W
- Das Produkt CSD88537ND ist aktiv und derzeit lieferbar.
- Es gibt gleichwertige und alternative Modelle, wie den CSD88538ND und CSD88539ND. Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsteam.
- Stromversorgungsschaltungen
- Motorsteuerungen
- Beleuchtungsanwendungen
- Industrie- und Automobiltechnik
Das aktuellste und maßgebliche Datenblatt für den CSD88537ND steht auf unserer Website zum Download bereit. Wir empfehlen, das Datenblatt für detaillierte technische Spezifikationen herunterzuladen.
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PROTOTYPE
MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 10A 8SON
EVAL MODULE FOR CSD87588N
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CSD88537NDTexas Instruments |
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Zielpreis (USD)
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