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| Artikelnummer: | CSD88599Q5DCT |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Texas Instruments |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET 2N-CH 60V 22-VSON-CLIP |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $5.1852 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | 22-VSON-CLIP (5x6) |
| Serie | NexFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.1mOhm @ 30A, 10V |
| Leistung - max | 12W |
| Verpackung / Gehäuse | 22-PowerTFDFN |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4840pF @ 30V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 4.5V |
| FET-Merkmal | - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | - |
| Konfiguration | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Grundproduktnummer | CSD88599Q5 |
| CSD88599Q5DCT Einzelheiten PDF [English] | CSD88599Q5DCT PDF - EN.pdf |




CSD88599Q5DCT
Texas Instruments, ein führender Hersteller hochwertiger elektronischer Komponenten. Y-IC ist ein autorisierter Distributor von Texas Instruments und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der CSD88599Q5DCT ist ein Hochleistungs-Doppel-N-Kanal-MOSFET (Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor) in einem 22-poligen PowerTFDFN-Gehäuse. Er gehört zur NexFET™-Serie und wurde für eine Vielzahl von Stromversorgungsanwendungen entwickelt.
60V Drain-Source-Spannung
Maximaler Rds(on) von 2,1 mΩ
Maximaler Gate-Ladung von 27 nC
Maximaler Eingangskapazität von 4840 pF
Maximaler Leistungsdissipation von 12 W
Betriebstemperaturbereich von -55°C bis 150°C
Hervorragende Energieeffizienz
Hohe Leistungsdichte
Robuste thermische und elektrische Performance
Geeignet für vielfältige Strommanagement-Anwendungen
Verpackung in Band und Rolle (Tape and Reel)
22-poliges PowerTFDFN-Gehäuse
Oberflächenmontagesystem
Optimiert für thermische und elektrische Eigenschaften
Das Produkt CSD88599Q5DCT ist aktiv und derzeit erhältlich.
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Netzteile
Motorsteuerungen
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Beleuchtungssteuerung
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Das aktuellste und maßgebliche Datenblatt für den CSD88599Q5DCT steht auf unserer Webseite zum Download bereit. Kunden werden empfohlen, es für detaillierte Produktspezifikationen und Leistungsinformationen herunterzuladen.
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CSD95372BQ5M QFN12 TI
IC HALF BRIDGE DRIVER 60A 12VSON
MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
TI SOIC8
PROTOTYPE
MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
IC HALF BRIDGE DRIVER 60A 12LSON
EVAL MODULE FOR CSD87588N
IC HALF BRIDGE DRIVER 60A 12VSON
MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
PROTOTYPE
MOSFET 2N-CH 30V 25A 5PTAB
TI QFN
MOSFET 2N-CH 40V 22-VSON-CLIP
MOSFET 2 N-CH 60V 22-VSON-CLIP
IC HALF BRIDGE DRIVER 60A 12LSON
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IC HALF BRIDGE DRIVER 60A 12LSON
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CSD88599Q5DCTTexas Instruments |
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Zielpreis (USD)
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