Deutsch
| Artikelnummer: | SH8M4TB1 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $1.8987 |
| 200+ | $0.7584 |
| 500+ | $0.7331 |
| 1000+ | $0.7205 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | 8-SOP |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 9A, 10V |
| Leistung - max | 2W |
| Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1190pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 5V |
| FET-Merkmal | Logic Level Gate |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 9A, 7A |
| Konfiguration | N and P-Channel |
| Grundproduktnummer | SH8M4 |
| SH8M4TB1 Einzelheiten PDF [English] | SH8M4TB1 PDF - EN.pdf |




SH8M4TB1
Y-IC ist ein zuverlässiger Distributor von ROHM Halbleiterprodukten. Wir bieten Kunden die besten Produkte und Services.
Der SH8M4TB1 ist eine N- und P-Kanal MOSFET-Array mit Logikpegel-Gate. Er verfügt über eine maximale Drain-Source-Spannung von 30V, einen dauerhaften Drain-Strom von bis zu 9A bei 25°C und einen niedrigen Einschaltwiderstand von 18 Milliohm.
Nund P-Kanal MOSFET-Array
Logikpegel-Gate
Maximal 30V Drain-Source-Spannung
Bis zu 9A Dauer-Draintestrom bei 25°C
Geringer Einschaltwiderstand von 18 Milliohm
Kompaktes Oberflächenmontagegehäuse
Vielseitig einsetzbar in verschiedenen Anwendungen
Zuverlässige und langlebige Leistung
Der SH8M4TB1 ist in einem 8-SOIC-Gehäuse (0,154", 3,90mm Breite) für die Oberflächenmontage verpackt.
Der SH8M4TB1 ist ein aktives Produkt. Derzeit sind keine entsprechenden oder alternativen Modelle erhältlich. Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an unser Verkaufsteam über unsere Website.
Schaltkreise
Motorkontrolle
Energieverwaltung
Allgemeine Verstärkungsanwendungen
Das umfassendste Datenblatt für den SH8M4TB1 finden Sie auf unserer Website. Wir empfehlen Kunden, es für detaillierte Spezifikationen und Leistungsdaten herunterzuladen.
Kunden werden empfohlen, Angebote für den SH8M4TB1 auf unserer Website anzufordern. Holen Sie sich jetzt ein Angebot, um von unserem zeitlich begrenzten Angebot zu profitieren.
SH8M41TB R
SH8MA2 IS A POWER MOSFET WITH LO
MOSFET N/P-CH 30V 6A/7A SOP8
ROHM SOP8
SH8MA3TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A
ROHM SOP-8
VBSEMI SOIC-8
VBSEMI SOIC-8
SH8M41 ROHM
SH8M5 ROHM
MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A SOP8
MOSFET N/P-CH 250V 3A/2.5A SOP8
SH8M5TB ROHM
MOSFET N/P-CH 80V 3.4A/2.6A SOP8
4V DRIVE NCH+PCH MOSFET. SH8M51
MOSFET N/P-CH 80V 3.4A/2.6A 8SOP
SH8M4TB ROHM
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel





2024/12/4
2025/01/15
2025/07/22
2024/10/23
SH8M4TB1Rohm Semiconductor |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|