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| Artikelnummer: | SH8M3TB1 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A SOP8 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.9732 |
| 10+ | $0.8703 |
| 100+ | $0.6782 |
| 500+ | $0.5603 |
| 1000+ | $0.4423 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | 8-SOP |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 51mOhm @ 5A, 10V |
| Leistung - max | 2W |
| Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 230pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.9nC @ 5V |
| FET-Merkmal | Logic Level Gate |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 5A, 4.5A |
| Konfiguration | N and P-Channel |
| Grundproduktnummer | SH8M3 |
| SH8M3TB1 Einzelheiten PDF [English] | SH8M3TB1 PDF - EN.pdf |




SH8M3TB1
Y-IC ist ein Qualitätsdistributor von ROHM Semiconductor, einem führenden Hersteller hochleistungsfähiger Halbleiterbauelemente. Wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der SH8M3TB1 ist ein dualer N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET in einer 8-poligen SOIC-Fläche-montierten Gehäusevariante von ROHM Semiconductor. Er zeichnet sich durch einen niedrigen On-Widerstand aus und eignet sich für verschiedene Leistungssteuerungs- und Schaltanwendungen.
Dualer N-Kanalund P-Kanal-MOSFET\n30V Drain-Source-Spannung (Vdss)\n5A/4,5A Dauer-Drain-Strom (Id)\nMaximaler On-Widerstand: 51mΩ (Rds(on))\nMaximaler Gate-Threshold: 2,5V (Vgs(th))\nMaximaler Gate-Ladung: 3,9nC (Qg)\nMaximale Eingangs-Kapazität: 230pF (Ciss)\nMaximaler Wärmewiderstand: 2W Leistung
Kompaktes 8-poliges SOIC-Gehäuse\nHervorragende thermische und elektrische Eigenschaften\nVielseitig einsetzbar in Leistungssteuerungsund Schaltanwendungen\nZuverlässige und langlebige Leistung
Gehäusetyp: 8-poliges SOIC (0,154'', 3,90mm Breite)\nVerpackung: Cut Tape (CT) & Digi-Reel®\nThermische Eigenschaften: Max. Gehäusetemperatur (TJ) 150°C\nElektrische Eigenschaften: 30V Drain-Source-Spannung (Vdss), 5A/4,5A Dauer-Drain-Strom (Id)
Der SH8M3TB1 ist mit dem Hinweis "Nicht Für Neue Entwicklungen" gekennzeichnet und nähert sich dem Ende seiner Produktlebensdauer. Es sind jedoch mehrere gleichwertige oder alternative Modelle von ROHM Semiconductor erhältlich. Kunden werden empfohlen, unseren Verkaufssupport über die Webseite zu kontaktieren, um Informationen zu verfügbaren Alternativen zu erhalten.
Stromversorgungsschaltungen\nMotorsteuerungsanwendungen\nSchaltund Steuerkreise\nAllgemeine Leistungsumschaltung
Das offizielle Datenblatt für den SH8M3TB1 steht auf unserer Webseite zum Download bereit. Wir empfehlen unseren Kunden, das Datenblatt herunterzuladen, um detaillierte technische Spezifikationen und Leistungsmerkmale zu erhalten.
Kunden wird empfohlen, Angebote für den SH8M3TB1 auf unserer Webseite anzufordern. Holen Sie sich noch today ein Angebot und nutzen Sie unser zeitlich begrenztes Angebot!
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