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| Artikelnummer: | RV2C010UNT2L |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006-3 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 5+ | $0.1261 |
| 50+ | $0.1001 |
| 150+ | $0.087 |
| 500+ | $0.0772 |
| 2500+ | $0.062 |
| 5000+ | $0.0581 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | VML1006 |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 470mOhm @ 500mA, 4.5V |
| Verlustleistung (max) | 400mW (Ta) |
| Verpackung / Gehäuse | SC-101, SOT-883 |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 40 pF @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 1A (Ta) |
| Grundproduktnummer | RV2C010 |
| RV2C010UNT2L Einzelheiten PDF [English] | RV2C010UNT2L PDF - EN.pdf |




RV2C010UNT2L
Y-IC ist ein hochwertiger Distributor von Produkten von ROHM Semiconductor und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der RV2C010UNT2L ist ein N-Kanal-MOSFET von ROHM Semiconductor. Er ist ein Oberflächenmontagebauteil in der Gehäusevariante SC-101, SOT-883.
N-Kanal-MOSFET
Drain-Source-Spannung von 20V
Kontinuierlicher Drain-Strom von 1A
Maximaler On-Widerstand von 470 Milliohm
Maximale Eingangskapazität von 40 Pikofarad
Maximale Verlustleistung von 400 Milliwatt
Kompaktes Oberflächenmontagegehäuse
Geringer On-Widerstand für effizienten Stromwechsel
Geeignet für eine Vielzahl von Niederspannungsanwendungen
Der RV2C010UNT2L ist in Cut Tape (CT) und Digi-Reel® verpackt. Das Gehäuse ist SC-101, SOT-883.
Der RV2C010UNT2L ist ein aktives Produkt. ROHM Semiconductor kann gleichwertige oder alternative Modelle anbieten. Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsteam über die Website.
Stromversorgungsschaltungen
Schaltkreise
Niederspannungs-Elektronik
Das detaillierteste Datenblatt für den RV2C010UNT2L ist auf der Y-IC-Website verfügbar. Kunden werden empfohlen, das Datenblatt herunterzuladen, um alle Produktdetails zu erhalten.
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RV2C002UN ROHM
NCH 30V 1.4A, DFN1006-3, SMALL S
RV2C001ZP ROHM
ROHM DFN1006
RV2C010UN T2L ROHM
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RELAY GEN PURPOSE DPDT 8A 110V
MOSFET P-CH 20V 100MA DFN1006-3
MOSFET N-CH 20V 180MA DFN1006-3
MOSFET P-CH 20V 700MA DFN1006-3
RELAY GEN PURPOSE DPDT 8A 12V
RELAY GEN PURPOSE DPDT 8A 24V
ROHM DFN
RV2C001ZP T2L ROHM
ROHM SMD
RELAY GEN PURPOSE DPDT 8A 48V
RELAY GEN PURPOSE DPDT 8A 18V
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RV2C010UNT2LRohm Semiconductor |
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