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| Artikelnummer: | RU1L002SNMGTL |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 2.5V DRIVE UMT3F |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 10+ | $0.0322 |
| 100+ | $0.0247 |
| 300+ | $0.021 |
| 3000+ | $0.0157 |
| 6000+ | $0.0135 |
| 9000+ | $0.0123 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | - |
| Vgs (Max) | - |
| Technologie | - |
| Supplier Device-Gehäuse | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Verlustleistung (max) | - |
| Verpackung / Gehäuse | - |
| Betriebstemperatur | - |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | - |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Typ FET | - |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | - |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | - |




RU1L002SNMGTL
LAPIS Semiconductor
Der RU1L002SNMGTL ist ein spezialisierter Hochleistungs-IC, der für verschiedene Anwendungen entwickelt wurde. Dieses integrierte Schaltungsei bietet zuverlässige Leistung und effizientes Wärmemanagement in kompakter Bauweise.
Spezieller Hochleistungs-IC
Hohe Performance
Kompaktes Design
Zuverlässig und langlebig
Effizientes Wärmemanagement
Vielseitige Anwendungsfähigkeiten
Nicht verfügbar
Das RU1L002SNMGTL ist ein aktives Produkt. Es können gleichwertige oder alternative Modelle erhältlich sein. Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsteam über die Webseite.
Industrielle Automation
Medizintechnik
Unterhaltungselektronik
Das offizielle Datenblatt für den RU1L002SNMGTL steht auf unserer Webseite zum Download bereit. Kunden wird empfohlen, es herunterzuladen.
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