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| Artikelnummer: | RQ3E080BNTB |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.4859 |
| 10+ | $0.3962 |
| 100+ | $0.2701 |
| 500+ | $0.2025 |
| 1000+ | $0.1519 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | 8-HSMT (3.2x3) |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15.2mOhm @ 8A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 2W (Ta) |
| Verpackung / Gehäuse | 8-PowerVDFN |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 660 pF @ 15 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14.5 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 8A (Ta) |
| Grundproduktnummer | RQ3E080 |
| RQ3E080BNTB Einzelheiten PDF [English] | RQ3E080BNTB PDF - EN.pdf |




RQ3E080BNTB
ROHM Semiconductor - Y-IC ist ein Qualitätsvertriebspartner von ROHM-Produkten und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der RQ3E080BNTB ist ein einzelner N-Kanal-MOSFET in einem kompakten 8-PowerVDFN Oberflächenmontagegehäuse. Er zeichnet sich durch einen niedrigen On-Widerstand und eine hohe Strombelastbarkeit aus und eignet sich somit für verschiedenste Anwendungen im Bereich Leistungsmanagement und Schalttechnik.
– N-Kanal-MOSFET
– 30V Drain-Source-Spannung
– Kontinuierlicher Drain-Strom von 8A
– Geringer On-Widerstand von 15,2 mΩ
– Gate-Ladung von 14,5 nC
– Kompaktes 8-PowerVDFN Gehäuse
– Hervorragende Energieeffizienz durch niedrigen On-Widerstand
– Kompaktes Design für platzsparende Konstruktionen
– Zuverlässige Leistung in vielfältigen Anwendungsbereichen
Surface-Mount-Gehäuse 8-PowerVDFN
– Verfügbar in Cut Tape (CT) oder Digi-Reel® Verpackung
– Maße: 3,2 mm x 3 mm
Das Produkt ist derzeit aktiv.
Kompatible oder alternative Modelle sind verfügbar:
– RQ3E080ANTB
– RQ3E080BNTB
Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an unser Verkaufsteam.
– Leistungsmanagement
– Schaltkreise
– Motorsteuerung
– Industrielle Automatisierung
Das aktuelle Datenblatt für den RQ3E080BNTB ist auf unserer Website verfügbar. Wir empfehlen, es herunterzuladen, um die neuesten Produktspezifikationen und Informationen zu erhalten.
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ROHM DFN3*3
RQ3E080BNFU7TB ROHM
ROHM DFN
RQ3E080BN QQ2850920316
MOSFET N-CH 30V 7A 8HSMT
MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8HSMT
ROHM DFN-83.3X3.3
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RQ3E080BNFU7 ROHM/
NCH 30V 15A POWER MOSFET: RQ3E07
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RQ3E070BNFU7TB ROHM
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RQ3E080BNTBRohm Semiconductor |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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