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| Artikelnummer: | RQ3E100ATTB |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 30V 10A/31A 8HSMT |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.3499 |
| 200+ | $0.1396 |
| 500+ | $0.135 |
| 1000+ | $0.1327 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | 8-HSMT (3.2x3) |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.4mOhm @ 10A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 2W (Ta) |
| Verpackung / Gehäuse | 8-PowerVDFN |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1900 pF @ 15 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42 nC @ 10 V |
| Typ FET | P-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 10A (Ta), 31A (Tc) |
| Grundproduktnummer | RQ3E100 |




RQ3E100ATTB
Y-IC ist ein Qualitätsdistributor von Rohm Semiconductor Produkten und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der RQ3E100ATTB ist ein P-Kanal MOSFET von Rohm Semiconductor. Es handelt sich um ein leistungsstarkes, oberflächenmontiertes Bauelement in einem kompakten 8-PowerVDFN-Gehäuse.
P-Kanal MOSFET\n30V Drain-Source-Spannung (Vdss)\n10A Dauer-Durchlassstrom bei 25°C\nGeringer On-Widerstand (Rds(on)) von 11,4mΩ bei 10A, 10V\nGate-Ladung (Qg) von 42nC bei 10V\nBreiter Betriebstemperaturbereich bis zu 150°C
Kompakte und effiziente Leistungsverwaltung\nGeeignet für verschiedene Anwendungen mit hohem Strombedarf\nHervorragende thermische und elektrische Performance
Cut Tape (CT) & Digi-Reel® Verpackung\n8-PowerVDFN-Gehäuse mit Maße 3,2×3 mm\nOberflächenmontiertes Bauelement
Das RQ3E100ATTB ist ein aktives Produkt.\nEs sind gleichwertige oder alternative Modelle erhältlich. Bitte kontaktieren Sie unser Vertriebsteam für weitere Informationen.
Netzteile\nMotorensteuerungen\nBatterieladegeräte\nIndustrieund Unterhaltungselektronik
Das offizielle Datenblatt für den RQ3E100ATTB ist auf unserer Webseite verfügbar. Wir empfehlen Kunden, es für detaillierte technische Spezifikationen herunterzuladen.
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RQ3E100BN QQ2850920316
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RQ3E100ATTBRohm Semiconductor |
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Zielpreis (USD)
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