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| Artikelnummer: | RQ3E100BNTB |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 5+ | $0.1256 |
| 50+ | $0.098 |
| 150+ | $0.0842 |
| 500+ | $0.0739 |
| 3000+ | $0.0656 |
| 6000+ | $0.0615 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | 8-HSMT (3.2x3) |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.4mOhm @ 10A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 2W (Ta) |
| Verpackung / Gehäuse | 8-PowerVDFN |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1100 pF @ 15 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 10A (Ta) |
| Grundproduktnummer | RQ3E100 |
| RQ3E100BNTB Einzelheiten PDF [English] | RQ3E100BNTB PDF - EN.pdf |




RQ3E100BNTB
Y-IC ist ein hochwertiger Distributor von ROHM Semiconductor-Produkten und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der RQ3E100BNTB ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET von ROHM Semiconductor. Er zeichnet sich durch niedrigen ON-Widerstand, hohe Strombelastbarkeit und eine kompakte Oberflächenmontage-Verpackung aus, was ihn für eine Vielzahl von Leistungsmanagement-Anwendungen geeignet macht.
N-Kanal-MOSFET
Drain-Source-Spannung von 30V
Kontinuierlicher Drain-Strom von 10A
Niedriger ON-Widerstand von 10,4mΩ
Gate-Ladung von 22nC
Gate-Source-Spannung von ±20V
Effiziente Stromumwandlung
Hohe Strombelastbarkeit
Kompakte Oberflächenmontage-Verpackung
Zuverlässige Leistung
Cut Tape (CT) & Digi-Reel® Verpackung
8-PowerVDFN Oberflächenmontagegehäuse (3,2x3mm)
Der RQ3E100BNTB ist ein aktives Produkt
Entsprechende oder alternative Modelle sind verfügbar, bitte wenden Sie sich an unser Vertriebsteam für weitere Informationen
Energiemanagement
Motorsteuerung
Batterieladung
Industrieund Unterhaltungselektronik
Das führende Datenblatt für den RQ3E100BNTB ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden werden empfohlen, es für detaillierte technische Spezifikationen herunterzuladen.
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RQ3E100BNTBRohm Semiconductor |
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Zielpreis (USD)
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