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| Artikelnummer: | RGTH00TS65GC11 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
| Teil der Beschreibung.: | IGBT TRNCH FIELD 650V 85A TO247N |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $1.977 |
| 200+ | $0.7653 |
| 450+ | $0.7383 |
| 900+ | $0.7254 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 650 V |
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 50A |
| Testbedingung | 400V, 50A, 10Ohm, 15V |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C | 39ns/143ns |
| Schaltenergie | - |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-247N |
| Serie | - |
| Leistung - max | 277 W |
| Verpackung / Gehäuse | TO-247-3 |
| Paket | Tube |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabetyp | Standard |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Gate-Ladung | 94 nC |
| Strom - Collector Pulsed (Icm) | 200 A |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 85 A |
| Grundproduktnummer | RGTH00 |
| RGTH00TS65GC11 Einzelheiten PDF [English] | RGTH00TS65GC11 PDF - EN.pdf |




RGTH00TS65GC11
Y-IC ist ein zuverlässiger Händler von Produkten von Rohm Semiconductor und bietet Kunden die besten Produkte und Services.
Der RGTH00TS65GC11 ist ein einzelner IGBT-Modul (Insulated Gate Bipolar Transistor) von Rohm Semiconductor. Er wurde für Hochleistungsanwendungen entwickelt und verfügt über eine Trench-Feld-Stop-IGBT-Struktur.
Spannungsfestigkeit Kollektor-Emitter Durchbruch (max.): 650 V
Maximaler Kollektorstrom (Ic): 85 A
Pulsstrom (Icm): 200 A
Vce(on) (max.) bei Vge, Ic: 2,1 V bei 15 V, 50 A
Maximale Leistung: 277 W
Gate-Ladung: 94 nC
On/Off-Timer @ 25°C: 39 ns / 143 ns
Trench-Feld-Stop-IGBT-Struktur für verbesserte Effizienz und thermische Leistung
Hohe Spannungsund Strombelastbarkeit
Schnelle Schaltzeiten für Hochfrequenzanwendungen
Verpackungsart: Tube
Gehäusetyp: TO-247-3
Lieferanten-Produktgehäuse: TO-247N
Das RGTH00TS65GC11 wird für neue Designs nicht empfohlen.
Es gibt vergleichbare oder alternative IGBT-Modelle von Rohm Semiconductor. Für weitere Informationen kontaktieren Sie bitte unser Verkaufsteam.
Industrielle Hochleistungsanwendungen
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Das offizielle Datenblatt für den RGTH00TS65GC11 ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden wird empfohlen, es für detaillierte technische Spezifikationen herunterzuladen.
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