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| Artikelnummer: | RGTH00TS65DGC11 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
| Teil der Beschreibung.: | IGBT TRNCH FIELD 650V 85A TO247N |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $2.3741 |
| 200+ | $0.9194 |
| 450+ | $0.8865 |
| 900+ | $0.8716 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 650 V |
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 50A |
| Testbedingung | 400V, 50A, 10Ohm, 15V |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C | 39ns/143ns |
| Schaltenergie | - |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-247N |
| Serie | - |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 54 ns |
| Leistung - max | 277 W |
| Verpackung / Gehäuse | TO-247-3 |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabetyp | Standard |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Gate-Ladung | 94 nC |
| Strom - Collector Pulsed (Icm) | 200 A |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 85 A |
| Grundproduktnummer | RGTH00 |
| RGTH00TS65DGC11 Einzelheiten PDF [English] | RGTH00TS65DGC11 PDF - EN.pdf |




RGTH00TS65DGC11
Rohm Semiconductor
Der RGTH00TS65DGC11 ist ein Hochleistungs-IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) von Rohm Semiconductor. Er wurde für den Einsatz in verschiedenen Leistungsumwandlungs- und Motorsteuerungsanwendungen entwickelt.
Trench-Feldstopp-IGBT-Technologie
Collector-Emitter-Sperrspannung von 650 V
Kontinuierlicher Collector-Strom von 85 A
Pulsierender Collector-Strom von 200 A
Niedriger VCE(on) von 2,1 V bei 15 V, 50 A
Maximale Leistungsaufnahme von 277 W
Schnelle Schaltzeiten
Hohe Leistungsfähigkeit
Geringe Leitungsverluste
Effiziente Schaltleistung
Zuverlässiger Betrieb in anspruchsvollen Umgebungen
Gehäusetyp TO-247-3
Durchkontaktierte Montage
Röhrenverpackung
Der RGTH00TS65DGC11 wird für neue Designs nicht empfohlen. Es sind jedoch Ersatz- oder Alternativ-Modelle von Rohm Semiconductor erhältlich. Bitte wenden Sie sich an unser Vertriebsteam auf unserer Webseite für weitere Informationen.
Leistungskonverter
Motorantriebe
Wechselrichter
Industrieanlagen
Das offizielle Datenblatt für den RGTH00TS65DGC11 ist auf unserer Webseite verfügbar. Wir empfehlen Kunden, das Datenblatt herunterzuladen, um detaillierte technische Spezifikationen und Informationen zu erhalten.
Kunden werden empfohlen, ein Angebot für den RGTH00TS65DGC11 auf unserer Webseite anzufordern. Nutzen Sie dieses zeitlich begrenzte Angebot und holen Sie sich jetzt Ihr Angebot ein.
IGBT TRNCH FIELD 650V 85A TO247G
RF FILTER BAND PASS 8GHZ 0302
IGBT TRNCH FIELD 650V 35A TO3PFM
IGBT TRNCH FIELD 650V 85A TO247N
RF FILTER BAND PASS 4GHZ 0302
ROHM TO-247
IGBT TRNCH FIELD 650V 35A TO3PFM
IGBT TRNCH FIELD 650V 40A TO247N
IGBT TRNCH FIELD 650V 23A TO3PFM
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IGBT TRNCH FIELD 650V 40A TO247G
MACH SCREW BINDING HEAD COMBO M6
RF FILTER BAND PASS 5GHZ 0302
IGBT TRNCH FIELD 650V 40A TO247N
IGBT TRNCH FIELD 650V 40A TO247G
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RGTH00TS65DGC11Rohm Semiconductor |
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Zielpreis (USD)
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