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| Artikelnummer: | RF4E080BNTR |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 8A HUML2020L8 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 5+ | $0.2329 |
| 50+ | $0.2061 |
| 150+ | $0.1946 |
| 500+ | $0.1803 |
| 3000+ | $0.174 |
| 6000+ | $0.1702 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | HUML2020L8 |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17.6mOhm @ 8A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 2W (Ta) |
| Verpackung / Gehäuse | 8-PowerUDFN |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 660 pF @ 15 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14.5 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 8A (Ta) |
| Grundproduktnummer | RF4E080 |
| RF4E080BNTR Einzelheiten PDF [English] | RF4E080BNTR PDF - EN.pdf |




RF4E080BNTR
Y-IC ist ein zertifizierter Händler von Produkten von ROHM Semiconductor und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der RF4E080BNTR ist ein N-Kanal-MOSFET von ROHM Semiconductor. Er zeichnet sich durch eine Drain-Source-Spannung von 30 V, einen Dauerlaststrom von 8 A und einen niedrigen On-Widerstand aus.
– N-Kanal-MOSFET
– Drain-Source-Spannung von 30 V
– Dauerlaststrom von 8 A
– Niedriger On-Widerstand
– Effiziente Energieumwandlung
– Kompakte Surface-Mount-Gehäuse
– Zuverlässige und robuste Leistung
Der RF4E080BNTR ist in einem 8-PowerUDFN-Gehäuse für Oberflächenmontage erhältlich. Verfügbar in Cut Tape (CT) und Digi-Reel®-Formaten.
Der RF4E080BNTR ist ein aktives Produkt. Es sind gleichwertige und alternative Modelle erhältlich, wie zum Beispiel der RF4E080B und der RF4E080. Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsteam über unsere Website.
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Das offizielle Datenblatt für den RF4E080BNTR steht auf unserer Website zum Download bereit. Kunden wird empfohlen, es für detaillierte Produktspezifikationen herunterzuladen.
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RF4E080BNTRRohm Semiconductor |
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