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| Artikelnummer: | RF4E110BN |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
| Teil der Beschreibung.: | RF4E110BN ROHM |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Serie | - |
| RoHs Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Bedingung | New Original Stock |
| Garantie | 100% Perfect Functions |
| Vorlaufzeit | 2-3days after payment. |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Zahlungsmittel | PayPal / Credit Card / Telegraphic Transfer |
| Versand per | DHL / Fedex / UPS |
| Hafen | HongKong |
| Anfrage-E-Mail | Info@Y-IC.com |
| RF4E110BN Einzelheiten PDF [English] | RF4E110BN PDF - EN.pdf |




RF4E110BN
ROHM. Y-IC ist ein Qualitätsdistributor der Marke ROHM und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der RF4E110BN ist ein spezieller Hochleistungs- integrierter Schaltkreis (IC) von ROHM. Er wurde für fortschrittliche Anwendungen entwickelt, die hochzuverlässige elektronische Komponenten erfordern.
Hochleistungsfähiger integrierter Schaltkreis; Speziell für Hochtemperaturanwendungen entwickelt; Fortschrittliches Design und Engineering
Ausgezeichnete Zuverlässigkeit und Langlebigkeit; Optimiert für anspruchsvolle Umgebungen; Modernste Technologie für überlegene Leistung
Der RF4E110BN ist in einem BGA (Ball Grid Array) Gehäuse verpackt. Diese Verpackungsart bietet exzellente thermische Eigenschaften und elektrische Leitfähigkeit, für effiziente Wärmeabfuhr und zuverlässige Signalübertragung
Der RF4E110BN ist ein aktiviertes Produkt und derzeit sind keine gleichwertigen oder alternativen Modelle verfügbar. Bei Fragen oder Bedarf an weiterer Unterstützung kontaktieren Sie bitte unser Vertriebsteam über die Y-IC Website.
Industrielle Anwendungen; Automobil- elektroniksysteme; Hochentwickelte Elektronik
Das offizielle Datenblatt für den RF4E110BN steht auf der Y-IC Website zum Download bereit. Kunden werden ermutigt, das Datenblatt herunterzuladen, um detaillierte technische Spezifikationen und Leistungsmerkmale zu erfahren.
Kunden wird empfohlen, Angebote für den RF4E110BN auf der Y-IC Website einzuholen. Fordern Sie jetzt ein Angebot an, um mehr über diesen Hochleistungs-IC und dessen Vorteile für Ihre Anwendung zu erfahren.
PCH -60V -4A POWER, DFN2020, MOS
RF4E080BN TB ROHM
NCH 60V 7A, HUML2020L8, POWER MO
MOSFET P-CH 30V 7.5A HUML2020L8
ROHM QFN
NCH 40V 10A, HUML2020L8, POWER M
MOSFET N-CH 60V 5.5A HUML2020L8
MOSFET N-CH 30V 8A HUML2020L8
MOSFET N-CH 30V 11A HUML2020L8
PCH -40V -6A POWER, DFN2020, MOS
ROHM QFN
FSC TO-268
MOSFET N-CH 30V 8A HUML2020L8
RF / WIRELESS
MOSFET N-CH 30V 10A HUML2020L8
RF4E075AT TCR ROHM
RF4E080BN ROHM
MOSFET N-CH 30V 11A HUML2020L8
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RF4E110BNROHM |
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Zielpreis (USD)
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