Deutsch

| Artikelnummer: | DTC123JSATP |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
| Teil der Beschreibung.: | TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50 V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Transistor-Typ | NPN - Pre-Biased |
| Supplier Device-Gehäuse | SPT |
| Serie | - |
| Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47 kOhms |
| Widerstand - Basis (R1) | 2.2 kOhms |
| Leistung - max | 300 mW |
| Verpackung / Gehäuse | SC-72 Formed Leads |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Paket | Tape & Box (TB) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Frequenz - Übergang | 250 MHz |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 80 @ 10mA, 5V |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100 mA |
| Grundproduktnummer | DTC123 |
| DTC123JSATP Einzelheiten PDF [English] | DTC123JSATP PDF - EN.pdf |




DTC123JSATP
Y-IC ist ein Qualitätsdistributor von ROHM Semiconductor Produkten und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der DTC123JSATP ist ein bipolarer (BJT) Single-Pre-Biased-Transistor von ROHM Semiconductor. Es handelt sich um einen NPN-Pre-Biased-Transistor mit vielfältigen Leistungsmerkmalen.
– NPN-Pre-Biased-Transistor
– Kollektor-Strom (Ic) Max: 100 mA
– Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung (VCEO) Max: 50 V
– Basiswiderstand (R1): 2,2 kΩ
– Emitter-Base-Widerstand (R2): 47 kΩ
– Minimale DC-Stromverstärkung (hFE): 80 bei 10 mA, 5 V
– Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (VCE(sat)): maximal 300 mV bei 250 μA, 5 mA
– Kollektor-Unterbrechungsstrom (ICBO): Maximal 500 nA
– Übergangsfrequenz (fT): 250 MHz
– Leistungsaufnahme (Pd) Max: 300 mW
– Pre-Biased-Design vereinfacht die Schaltungsentwicklung
– Hohe Übergangsfrequenz für Hochgeschwindigkeitsanwendungen
– Niedrige Sättigungsspannung für effizienten Leistungsübertragung
– Kompakte Durchsteckgehäuse
Durchsteckgehäuse mit SC-72 geformten Anschlüssen
Dieses Produkt ist derzeit veraltet. Kunden wird empfohlen, für Informationen zu gleichwertigen oder alternativen Modellen Kontakt mit unserem Vertriebsteam über die Webseite aufzunehmen.
Audioverstärker
Schaltkreise
Niedrigleistungs-Analogspezifikationen
Das autoritativste Datenblatt für den DTC123JSATP ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden wird empfohlen, es herunterzuladen.
Kunden wird empfohlen, Angebote auf unserer Webseite einzuholen. Fordern Sie jetzt ein Angebot für dieses Produkt an.
TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR
SOT-323 NPN 0.2W 0.1A Transisto
ROHM SOT23-3
DTC123JU ROHM
DTC123JU3HZG IS A DIGITAL TRANSI
NPN DIGITAL TRANSISTOR (AEC-Q101
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
TRANS PRE-BIASED 200MA SOT-323
DTC123JSA ROHM
ROHM SMD
DTC123JUA T106 ROHM
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT-323
NPNDIGITALTRANSISTORSSOT-723
ON SOT-723
DTC123J - DIGITAL BJT NPN - PRE-
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel





2025/01/23
2025/02/17
2025/01/24
2025/01/27
DTC123JSATPRohm Semiconductor |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|