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| Artikelnummer: | DTC123JMT2L |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
| Teil der Beschreibung.: | TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.3202 |
| 10+ | $0.2354 |
| 100+ | $0.1331 |
| 500+ | $0.0881 |
| 1000+ | $0.0676 |
| 2000+ | $0.0588 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50 V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Transistor-Typ | NPN - Pre-Biased |
| Supplier Device-Gehäuse | VMT3 |
| Serie | - |
| Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47 kOhms |
| Widerstand - Basis (R1) | 2.2 kOhms |
| Leistung - max | 150 mW |
| Verpackung / Gehäuse | SOT-723 |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Frequenz - Übergang | 250 MHz |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 80 @ 10mA, 5V |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100 mA |
| Grundproduktnummer | DTC123 |
| DTC123JMT2L Einzelheiten PDF [English] | DTC123JMT2L PDF - EN.pdf |




DTC123JMT2L
Rohm Semiconductor - Y-IC ist ein hochwertiger Distributor von Rohm Semiconductor-Produkten und bietet Kunden die besten Produkte und Serviceleistungen.
Der DTC123JMT2L ist ein vorkonfizierter NPN-Bipolartransistor von Rohm Semiconductor. Er ist für verschiedene Anwendungsbereiche konzipiert, einschließlich Verstärker, Schalter und Logikschaltungen.
NPN-Transistortyp
Vorkonfizierte Bauweise
Kollektorstrom (Ic) bis zu 100 mA
Kollektor-Emitter-Breakdown-Spannung (VCEO) bis zu 50 V
Basiswiderstand (R1) von 2,2 kΩ
Emitter-Basis-Widerstand (R2) von 47 kΩ
DC-Strom-Verstärkungsfaktor (hFE) mindestens 80 bei 10 mA, 5 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (VCE(sat)) von 300 mV bei 250 µA, 5 mA
Kollektor-Abschaltstrom (ICEO) bis zu 500 nA
Transitfrequenz (fT) von 250 MHz
Maximale Verlustleistung von 150 mW
Vorkonfizierte Bauweise vereinfacht das Schaltungsdesign
Hohe Betriebsfrequenz für Hochgeschwindigkeitsanwendungen
Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung für effizientes Schalten
Kleines Oberflächenmontagegehäuse für platzsparende Designs
Cut Tape (CT) und Digi-Reel® Verpackungsoptionen
SOT-723 Oberflächenmontagegehäuse
Abmessungen: 1,0 x 0,6 x 0,55 mm
Anschlussleitungen: 3
Das DTC123JMT2L ist ein aktiviertes Produkt.
Es können gleichwertige oder alternative Modelle erhältlich sein. Bitte kontaktieren Sie unser Vertriebsteam für weitere Informationen.
Verstärker
Schalter
Logikschaltungen
Allgemeine Elektronikanwendungen
Das aktuellste Datenblatt für den DTC123JMT2L ist auf unserer Website verfügbar. Kunden werden ermutigt, das Datenblatt für vollständige technische Spezifikationen und weitere wichtige Informationen herunterzuladen.
Kunden wird empfohlen, Angebote für den DTC123JMT2L auf unserer Website anzufordern. Holen Sie sich jetzt ein Angebot ein oder erfahren Sie mehr über dieses Produkt und unser weiteres Sortiment.
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DTC123JMT2LRohm Semiconductor |
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Zielpreis (USD)
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