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| Artikelnummer: | HIP2101IBZT |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Intersil (Renesas Electronics Corporation) |
| Teil der Beschreibung.: | HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER, |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $10.3613 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannungsversorgung | 9V ~ 14V |
| Supplier Device-Gehäuse | 8-SOIC |
| Serie | - |
| Aufstieg / Fallzeit (Typ) | 10ns, 10ns |
| Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Paket | Bulk |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Anzahl der Treiber | 2 |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Logikspannung - VIL, VIH | 0.8V, 2.2V |
| Eingabetyp | Non-Inverting |
| High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) | 114 V |
| Gate-Typ | N-Channel MOSFET |
| Angetriebene Konfiguration | Half-Bridge |
| Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) | 2A, 2A |
| Ladestrom | Independent |
| Grundproduktnummer | HIP2101 |
| HIP2101IBZT Einzelheiten PDF [English] | HIP2101IBZT PDF - EN.pdf |




HIP2101IBZT
Renesas Electronics Corporation. Y-IC ist ein Qualitätsvertriebspartner der Marke Renesas und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der HIP2101IBZT ist ein Dual-Kanal-MOSFET-Treiber-IC für die Hoch- und Niederseitensteuerung, entwickelt für Halbbrücken-Leistungswandler-Anwendungen. Er steuert die Gates von Hoch- und Niederseiten-MOSFETs in Hochleistungsanwendungen zuverlässig und effizient.
Dual-Kanal-MOSFET-Treiber für Hochund Niederseiten
Schaltungskonfiguration: Halbbrücke
Kanäle: unabhängig
Anzahl der Treiber: 2
Gate-Typ: N-Kanal MOSFET
Versorgungsspannung: 9V – 14V
Logikspannungen (VIL, VIH): 0,8V, 2,2V
Spitzen-Ausgangsstrom (Quelle, Senke): 2A, 2A
Eingangstyp: Nicht-Invertierend
Max. Hochseiten-Spannung (Bootstrap): 114 V
Anstieg/Abfallzeit (typisch): 10 ns, 10 ns
Betriebstemperatur: -55°C bis 150°C (TJ)
Effiziente und zuverlässige Gate-Ansteuerung für Hochleistungs-MOSFETs. Bietet unabhängige Steuerung der Hoch- und Niederseiten-MOSFETs. In der Lage, Hochspannungs-MOSFETs bei minimalem Energieverbrauch zu treiben. Geeignet für eine Vielzahl von Leistungswandlungsanwendungen.
Tape & Reel (TR) Verpackung
8-SOIC-Gehäuse (0,154 Zoll, 3,90 mm Breite)
Der HIP2101IBZT ist ein aktiv beworbenes Produkt. Es könnten gleichwertige oder alternative Modelle verfügbar sein. Kunden wird empfohlen, unser Verkaufsteam über unsere Webseite zu kontaktieren, um weitere Informationen zu erhalten.
Schaltnetzteile
Motorantriebe
Industrielle und automotive Leistungswandlung
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