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| Artikelnummer: | HIP2101IBT |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Intersil (Renesas Electronics Corporation) |
| Teil der Beschreibung.: | HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannungsversorgung | 9V ~ 14V |
| Supplier Device-Gehäuse | 8-SOIC |
| Serie | - |
| Aufstieg / Fallzeit (Typ) | 10ns, 10ns |
| Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Paket | Bulk |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Anzahl der Treiber | 2 |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Logikspannung - VIL, VIH | 0.8V, 2.2V |
| Eingabetyp | Non-Inverting |
| High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) | 114 V |
| Gate-Typ | N-Channel MOSFET |
| Angetriebene Konfiguration | Half-Bridge |
| Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) | 2A, 2A |
| Ladestrom | Independent |
| Grundproduktnummer | HIP2101 |
| HIP2101IBT Einzelheiten PDF [English] | HIP2101IBT PDF - EN.pdf |




HIP2101IBT
Renesas Electronics Corporation - Y-IC ist ein Distributor von Qualitätsprodukten der Marke Renesas und bietet Kunden die besten Produkte und Services.
Der HIP2101IBT ist ein Halbbrücken-IC mit unabhängigen Kanälen, 2-Kanal Hoch- und Niederspannungs-MOSFET-Treiber von Renesas Electronics Corporation. Er wurde entwickelt, um Hoch- und Niederspannungs-N-Channel-MOSFETs in der Leistungsumwandlung zu steuern.
Halbbrücke, unabhängiger Kanaltyp
2-Kanal N-Channel MOSFET-Treiber
Unterstützt Versorgungsspannungen von 9V bis 14V
Logikspannung von 0,8V (VIL) und 2,2V (VIH)
Spitzenstrom von 2A (Quelle und Senke)
Nicht-invertierender Eingang
Maximaler Hochspannungsbereich von 114V (Bootstrap)
Schnelle Anstieg-/Fallzeit von 10ns (typisch)
Breiter Betriebstemperaturbereich von -55°C bis 150°C (TJ)
Effiziente und zuverlässige Steuerung der Stromkonversion, in der Lage, Hochleistungs-N-Channel-MOSFETs zu treiben, breiter Spannungs- und Temperaturbereich, optimiert für vielfältige Anwendungen in der Leistungsumwandlung.
Oberflächenmontage, 8-SOIC-Gehäuse (0,154 Zoll, 3,90 mm Breite)
Anbieter-Gerätegehäuse: 8-SOIC
Dieses Produkt ist derzeit veraltet. Es könnten gleichwertige oder alternative Modelle verfügbar sein. Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsteam über die Webseite.
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Industrielle Leistungsumwandlung
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