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| Artikelnummer: | IRF6691TR1PBF |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $1.8556 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | DIRECTFET™ MT |
| Serie | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8mOhm @ 15A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | DirectFET™ Isometric MT |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6580 pF @ 10 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 71 nC @ 4.5 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 32A (Ta), 180A (Tc) |
| IRF6691TR1PBF Einzelheiten PDF [English] | IRF6691TR1PBF PDF - EN.pdf |




IRF6691TR1PBF
Y-IC ist ein Qualitätshändler für Produkte der Marke Infineon Technologies. Wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der IRF6691TR1PBF ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET von Infineon Technologies. Er gehört zur HEXFET®-Serie und verfügt über ein DirectFET™ MT Gehäuse.
N-Kanal-MOSFET\nDrain-Source-Spannung: 20 V\nKontinuierlicher Drain-Strom (Ta): 32 A, (Tc): 180 A\nOn-Widerstand: 1,8 mΩ bei 15 A, 10 V\nGate-Ladung: 71 nC bei 4,5 V\nBetriebstemperaturbereich: -40 °C bis 150 °C
Hohe Strombelastbarkeit\nGeringer On-Widerstand für verbesserte Effizienz\nKompaktes Surface-Mount-DirectFET™ MT Gehäuse
Der IRF6691TR1PBF wird in einem DirectFET™ MT Surface-Mount-Gehäuse geliefert. Dieses Gehäuse bietet kompakte Abmessungen, hohe thermische Leistungsfähigkeit und eine vereinfachte Leiterplattenmontage.
Der IRF6691TR1PBF ist ein veraltetes Produkt. Es könnten gleichwertige oder alternative Modelle verfügbar sein. Kunden werden gebeten, sich für weitere Informationen an unser Verkaufsteam über die Webseite zu wenden.
Schaltnetzteile\nMotorsteuerungen\nStromwandlung\nIndustrieund Unterhaltungselektronik
Das offizielle Datenblatt für den IRF6691TR1PBF ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden werden ermutigt, es für detaillierte Spezifikationen und Leistungsinformationen herunterzuladen.
Kunden wird empfohlen, Kostenvoranschläge für den IRF6691TR1PBF auf unserer Webseite anzufordern. Holen Sie sich jetzt ein Angebot und profitieren Sie von unserem limitierten Angebot.
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