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| Artikelnummer: | IRF6678 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $2.164 |
| 10+ | $1.8693 |
| 100+ | $1.6985 |
| 500+ | $1.6251 |
| 1000+ | $1.6129 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.25V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | DIRECTFET™ MX |
| Serie | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2mOhm @ 30A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | DirectFET™ Isometric MX |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5640 pF @ 15 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 65 nC @ 4.5 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 30A (Ta), 150A (Tc) |
| IRF6678 Einzelheiten PDF [English] | IRF6678 PDF - EN.pdf |




IRF6678
Y-IC ist ein hochwertiger Distributor von Produkten der Infineon Technologies und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der IRF6678 ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET-Transistor von Infineon Technologies. Er ist für den Einsatz in verschiedenen leistungselektronischen Anwendungen konzipiert.
– N-Kanal-MOSFET-Transistor
– 30V Drain-Source-Spannung
– 30A Dauerlaststrom bei 25°C
– Maximale On-Widerstand von 2,2 mΩ bei 30A, 10V
– Maximale Gate-Ladung von 65 nC bei 4,5V
– Betriebstemperaturbereich von -40°C bis 150°C
– Hohe Effizienz und geringe Leistungsaufnahme
– Zuverlässige und robuste Leistung
– Geeignet für eine Vielzahl von leistungselektronischen Anwendungen
Der IRF6678 ist im DirectFET™ MX SMD-Gehäuse verpackt. Dieses Gehäuse zeichnet sich durch sein kompaktes, flaches Design sowie ausgezeichnete thermische Eigenschaften und elektrische Parameter aus.
Der IRF6678 ist ein auslaufendes Produkt, jedoch sind von Infineon Technologies möglicherweise gleichwertige oder alternative Modelle erhältlich. Kunden wird empfohlen, unseren Vertrieb über die Website zu kontaktieren, um weitere Informationen zu erhalten.
– Schaltnetzteile
– Motorantriebe
– Leistungstromrichter
– Automotive-Elektronik
Das umfangreichste Datenblatt für den IRF6678 ist auf unserer Website verfügbar. Kunden werden empfohlen, es herunterzuladen, um detaillierte Produktspezifikationen und Leistungsdaten zu erhalten.
Kunden werden empfohlen, Angebote für den IRF6678 auf unserer Website einzuholen. Fordern Sie jetzt ein Angebot an, um von unserem zeitlich begrenzten Angebot zu profitieren!
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