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| Artikelnummer: | IRF6678TR1PBF |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.25V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | DIRECTFET™ MX |
| Serie | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2mOhm @ 30A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | DirectFET™ Isometric MX |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5640 pF @ 15 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 65 nC @ 4.5 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 30A (Ta), 150A (Tc) |
| IRF6678TR1PBF Einzelheiten PDF [English] | IRF6678TR1PBF PDF - EN.pdf |




IRF6678TR1PBF
Y-IC ist ein Qualitätsvertriebspartner für Produkte von Infineon Technologies und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der IRF6678TR1PBF ist ein leistungsstarker N-Kanal-MOSFET von Infineon Technologies. Er zeichnet sich durch niedrigen On-Widerstand und hohe Schaltgeschwindigkeit aus, was ihn für eine Vielzahl von Leistungselektronik-Anwendungen geeignet macht.
– N-Kanal-MOSFET
– MOSFET-Technologie (Metal Oxide)
– Drain-Source-Spannung (Vdss) von 30 V
– Kontinuierlicher Drain-Strom (Id) von 30 A (Ta) und 150 A (Tc)
– Geringer On-Widerstand (Rds(on)) von 2,2 mOhm bei 30 A, 10 V
– Maximale Gate-Source-Spannung (Vgs) von ±20 V
– Hohe Leistungsaufnahme von 2,8 W (Ta) und 89 W (Tc)
– Betriebstemperaturbereich von -40°C bis 150°C (TJ)
– Oberflächenmontagegehäuse (DirectFET™ MX)
– Effiziente Stromverwaltung durch niedrigen On-Widerstand
– Hohe Stromtragfähigkeit
– Robustes Design und breiter Temperaturbereich
– Kompaktes Oberflächenmontagegehäuse
Der IRF6678TR1PBF ist in einem DirectFET™ MX Oberflächenmontagegehäuse verpackt. Dieses Gehäuse bietet Vorteile wie geringe Baugröße, niedrigen thermischen Widerstand und hohe Leistungsdichte.
Der IRF6678TR1PBF ist ein veraltetes Produkt. Kunden werden empfohlen, über unsere Website Kontakt mit unserem Vertriebsteam aufzunehmen, um Informationen zu gleichwertigen oder alternativen Modellen zu erhalten.
– Netzteile
– Motorantriebe
– Automobiltechnik
– Industrielle Automatisierung
– Telekommunikationsgeräte
Das offizielle Datenblatt für den IRF6678TR1PBF ist auf unserer Website verfügbar. Kunden wird empfohlen, das Datenblatt herunterzuladen, um vollständige technische Details zu erhalten.
Kunden werden empfohlen, Angebote über unsere Website anzufordern. Holen Sie sich ein Angebot oder erfahren Sie mehr über dieses Produkt und unsere weiteren Angebote.
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