Deutsch

| Artikelnummer: | IXFN24N100 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | IXYS / Littelfuse |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 1KV 24A SOT-227B |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $27.108 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 8mA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | SOT-227B |
| Serie | HiPerFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 390mOhm @ 12A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 568W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | SOT-227-4, miniBLOC |
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 8700 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 267 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1000 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 24A (Tc) |
| Grundproduktnummer | IXFN24 |
| IXFN24N100 Einzelheiten PDF [English] | IXFN24N100 PDF - EN.pdf |




IXFN24N100
IXYS ist ein führender Hersteller von Leistungshalbleitern, und Y-IC ist ein Qualitätsdistributor von IXYS-Produkten, der Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen bietet.
Der IXFN24N100 ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET aus der HiPerFET™-Serie, der für anspruchsvolle Anwendungen in der Leistungsumwandlung und im Motorantrieb entwickelt wurde.
– N-Kanal-MOSFET
– Drain-Source-Spannung von 1000 V
– Kontinuierlicher Drain-Strom von 24 A
– Geringe On-Widerstand (390 mΩ)
– Maximale Gate-Source-Spannung von 10 V
– Hervorragende Leistung und Effizienz
– Robustes Design für zuverlässigen Betrieb
– Geeignet für Hochspannungs- und Hochstromanwendungen
– SOT-227-4, miniBLOC-Gehäuse
– Chassismontage
– Optimiert für die Wärmeableitung
– Dieses Produkt wird für neue Designs nicht empfohlen.
– Es sind möglicherweise gleichwertige oder alternative Modelle verfügbar. Bitte wenden Sie sich an unser Verkaufsteam für weitere Informationen.
– Leistungselektronik
– Motorantriebe
– Industrielle und Automobil-Elektronik
Das maßgebliche Datenblatt für den IXFN24N100 ist auf unserer Website erhältlich. Wir empfehlen Kunden, es herunterzuladen, um detaillierte technische Spezifikationen zu erhalten.
Kunden werden empfohlen, Angebote auf unserer Website anzufordern. Holen Sie sich jetzt ein Angebot, um von unserem zeitlich begrenzten Angebot zu profitieren.
IGBT Modules
MOSFET N-CH 250V 240A SOT227B
MOSFET N-CH 900V 24A SOT-227B
MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B
MOSFET N-CH 170V 245A SOT227B
IGBT Modules
MOSFET N-CH 200V 160A SOT227B
IGBT Modules
IGBT Modules
MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227B
MOSFET N-CH 1000V 24A SOT227B
MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B
MOSFET N-CH 100V 230A SOT-227B
MOSFET N-CH 1000V 24A SOT227B
IGBT Modules
IGBT Modules
IXFN22N120 IXYS
MOSFET N-CH 900V 25A SOT-227B
MOSFET N-CH 200V 220A SOT227B
MOSFET N-CH 150V 240A SOT227B
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel







2024/10/23
2024/04/13
2024/09/18
2025/07/16
IXFN24N100IXYS |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|