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| Artikelnummer: | IXFH80N20Q |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | IXYS / Littelfuse |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 200V 80A TO247AD |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $2.603 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 4mA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-247AD (IXFH) |
| Serie | HiPerFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28mOhm @ 500mA, 10V |
| Verlustleistung (max) | 360W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-247-3 |
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4600 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 180 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 80A (Tc) |
| Grundproduktnummer | IXFH80 |
| IXFH80N20Q Einzelheiten PDF [English] | IXFH80N20Q PDF - EN.pdf |




IXFH80N20Q
IXYS ist ein hochwertiger Hersteller des Produkts IXFH80N20Q, und Y-IC ist ein vertrauenswürdiger Händler, der Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen bietet.
Der IXFH80N20Q ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET mit Metal-Oxide-Semiconductor-(MOSFET)-Technologie. Er gehört zur HiPerFET™-Serie und ist für eine Vielzahl von Anwendungen in der Leistungselektronik konzipiert.
N-Kanal-MOSFET
200V Drain-Source-Spannung
80A Dauer-Drain-Strom bei 25°C
28mΩ On-State-Widerstand bei 500mA, 10V
180nC Gate-Ladung bei 10V
±20V Gate-Source-Spannung
Hohe Leistungsfähigkeit
Geringer On-State-Widerstand für effiziente Energieübertragung
Zuverlässige Leistung in anspruchsvollen Umgebungen
Vielseitig einsetzbar in der Leistungselektronik
Der IXFH80N20Q ist in einem TO-247-3 through-hole Gehäuse verpackt. Diese Gehäusevariante bietet ausgezeichnete thermische Eigenschaften und elektrische Leistungsmerkmale für Hochleistungsanwendungen.
Das IXFH80N20Q ist ein veraltetes Produkt, es könnten jedoch gleichwertige oder alternative Modelle erhältlich sein. Kunden werden gebeten, unser Verkaufsteam über die Webseite für weitere Informationen zu kontaktieren.
Der IXFH80N20Q eignet sich für eine Vielzahl von Anwendungen in der Leistungselektronik, darunter:
Motorsteuerungen
Netzteile
Wechselrichter
Schaltnetzteile
Industrieautomation
Das hochwertigste Datenblatt für den IXFH80N20Q ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden wird empfohlen, das Datenblatt herunterzuladen, um detaillierte technische Spezifikationen und Leistungsdaten zu erhalten.
Kunden werden empfohlen, Angebote für den IXFH80N20Q auf unserer Webseite einzuholen. Erhalten Sie ein Angebot, informieren Sie sich weiter oder nutzen Sie unser zeitlich begrenztes Angebot, um den besten Preis für diesen Hochleistungs-MOSFET zu sichern.
IXYS TO-247
MOSFET N-CH 80V 80A TO247AD
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