Deutsch

| Artikelnummer: | IXFH80N10 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | IXYS / Littelfuse |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 100V 80A TO247AD |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 4mA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-247AD (IXFH) |
| Serie | HiPerFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.5mOhm @ 40A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 300W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-247-3 |
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4800 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 180 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 80A (Tc) |
| Grundproduktnummer | IXFH80 |
| IXFH80N10 Einzelheiten PDF [English] | IXFH80N10 PDF - EN.pdf |




IXFH80N10
IXYS ist ein führender Hersteller von Leistungshalbleitern, und Y-IC ist ein Qualitätsvertriebspartner für Produkte von IXYS. Kunden können darauf vertrauen, dass sie die besten Produkte und Services von Y-IC erhalten.
Der IXFH80N10 ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET mit einer Drain-Source-Spannung von 100 V und einem kontinuierlichen Drain-Strom von 80 A bei 25 °C Gehäusetemperatur. Er gehört zur HiPerFET™-Serie von IXYS.
N-Kanal MOSFET
Drain-Source-Spannung von 100 V
Kontinuierlicher Drain-Strom von 80 A bei 25 °C Gehäusetemperatur
Geringe On-Widerstand von 12,5 mΩ bei 40 A, 10 V
Schnelle Schaltzeiten
Hervorragende thermische Leistung und Leistungsdissipation bis zu 300 W bei Gehäusetemperatur
Breiter Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis 150 °C
Geeignet für Hochleistungsund Effizienz-Anwendungen
Das IXFH80N10 ist in einem TO-247-3 Durchsteckgehäuse verpackt.
Das IXFH80N10 ist ein auslaufendes Produkt. Kunden wird empfohlen, sich an unser Vertriebsteam zu wenden, um verfügbare gleichwertige oder alternative Modelle zu erfragen.
Hochleistungsund Effizienz-Anwendungen
Industrieund Automobil-Leistungselektronik
Schaltnetzteile
Motorenantriebe
Das aktuellste Datenblatt für den IXFH80N10 ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden werden ermutigt, das Datenblatt herunterzuladen, um vollständige technische Spezifikationen zu erhalten.
Kunden werden empfohlen, Angebote für den IXFH80N10 oder verfügbare gleichwertige oder alternative Modelle auf unserer Webseite anzufordern. Holen Sie sich noch heute ein Angebot und nutzen Sie unser zeitlich befristetes Sonderangebot.
MOSFET N-CH 70V 76A TO247AD
MOSFET N-CH 150V 76A TO247
MOSFET N-CH 100V 80A TO-247AD
MOSFET N-CH 60V 80A TO247AD
MOSFET N-CH 80V 80A TO247AD
MOSFET N-CH 650V 80A TO247
IXFH80N20 IXYS
MOSFET N-CH 250V 80A TO247
MOSFET N-CH 300V 80A TO-247
MOSFET N-CH 900V 7A TO247AD
MOSFET N-CH 200V 80A TO247AD
IXYS TO-247
MOSFET N-CH 150V 80A TO247AD
MOSFET N-CH 800V 7A TO247AD
MOSFET ULTRA JCT 600V 78A TO247
IXYS TO-247
IXYS New
MOSFET N-CH 85V 80A TO247AD
MOSFET N-CH 1000V 7A TO247
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel





2025/01/13
2025/01/15
2025/07/22
2025/08/1
IXFH80N10IXYS |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|