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| Artikelnummer: | IXDN602SIATR |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | IXYS Integrated Circuits Division |
| Teil der Beschreibung.: | IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.6406 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannungsversorgung | 4.5V ~ 35V |
| Supplier Device-Gehäuse | 8-SOIC |
| Serie | - |
| Aufstieg / Fallzeit (Typ) | 7.5ns, 6.5ns |
| Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Anzahl der Treiber | 2 |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Logikspannung - VIL, VIH | 0.8V, 3V |
| Eingabetyp | Non-Inverting |
| Gate-Typ | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
| Angetriebene Konfiguration | Low-Side |
| Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) | 2A, 2A |
| Ladestrom | Independent |
| Grundproduktnummer | IXDN602 |
| IXDN602SIATR Einzelheiten PDF [English] | IXDN602SIATR PDF - EN.pdf |




IXDN602SIATR
Littelfuse ist ein Qualitätsvertrieb dieses Markenprodukts, und Y-IC bietet den Kunden die besten Produkte und Services.
Der IXDN602SIATR ist ein dualer, unabhängiger Hochgeschwindigkeits-MOSFET/IGBT-Gatttreiber mit einem weiten Versorgungsspannungsbereich von 4,5V bis 35V. Er zeichnet sich durch schnelle Anstiegs- und Abfallzeiten, hohe Spitzenleistung beim Ausgangsstrom und einen breiten Betriebstemperaturbereich von -55°C bis 150°C aus.
DUALER, unabhängiger Hochgeschwindigkeits-MOSFET/IGBT-Gatttreiber
Weites Versorgungsspannungsbereich: 4,5V bis 35V
Schnelle Anstiegsund Abfallzeiten: typisch 7,5ns bzw. 6,5ns
Hoher Spitzenausgangsstrom: 2A Quelle und Senke
Betriebstemperaturbereich: -55°C bis 150°C
Nicht-invertierender Eingangstyp
Oberflächenmontage im 8-SOIC-Gehäuse
Vielseitiger Treiber für eine Vielzahl von MOSFETund IGBT-Anwendungen
Hochgeschwindigkeits-Schaltfähigkeit für schnelle Leistungselektronik
Robuster Betriebstemperaturbereich für Industrieund Automobilanwendungen
Kompaktes Oberflächenmontagegehäuse für platzbeschränkte Designs
Tape & Reel (TR) Verpackung
8-SOIC-Gehäuse (0,154", 3,90 mm Breite) für Oberflächenmontage
Pin-Konfiguration und elektrische Eigenschaften geeignet für MOSFETund IGBT-Gate-Treiber Anwendungen
Das IXDN602SIATR ist ein aktives Produkt und wird derzeit nicht eingestellt.
Es gibt mehrere gleichwertige und alternative Modelle von Littelfuse, wie z.B. IXDN602SIA und IXDN602SITR.
Für weitere Informationen zu verfügbaren Optionen wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsteam auf unserer Website.
Leistungselektronik
Motorantriebe
Wechselrichter
Industrielle Automatisierung
Automobilanwendungen
Das offizielle Datenblatt für den IXDN602SIATR ist auf unserer Website verfügbar. Kunden werden empfohlen, es für detaillierte technische Spezifikationen und Leistungsinformationen herunterzuladen.
Kunden wird empfohlen, Angebote für den IXDN602SIATR auf unserer Website anzufordern. Holen Sie sich ein Angebot, erfahren Sie mehr oder nutzen Sie unser zeitlich begrenztes Angebot.
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