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| Artikelnummer: | IXDN602SI |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | IXYS Integrated Circuits Division |
| Teil der Beschreibung.: | IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.5239 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannungsversorgung | 4.5V ~ 35V |
| Supplier Device-Gehäuse | 8-SOIC-EP |
| Serie | - |
| Aufstieg / Fallzeit (Typ) | 7.5ns, 6.5ns |
| Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) Exposed Pad |
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Anzahl der Treiber | 2 |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Logikspannung - VIL, VIH | 0.8V, 3V |
| Eingabetyp | Non-Inverting |
| Gate-Typ | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
| Angetriebene Konfiguration | Low-Side |
| Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) | 2A, 2A |
| Ladestrom | Independent |
| Grundproduktnummer | IXDN602 |
| IXDN602SI Einzelheiten PDF [English] | IXDN602SI PDF - EN.pdf |




IXDN602SI
Y-IC ist ein Qualitätsdistributor der Marke Littelfuse und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der IXDN602SI ist ein Hochgeschwindigkeits-Gate-Treiber-IC für die Niederspannung, der entwickelt wurde, um IGBT-, N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET-Leistungstransistoren zu steuern. Er verfügt über zwei unabhängige Gate-Treiber-Kanäle und eine Spannungsversorgung im Bereich von 4,5 V bis 35 V.
Zwei unabhängige Gate-Treiber-Kanäle
Steuert IGBT-, N-Kanalund P-Kanal-MOSFET-Leistungstransistoren
Breiter Versorgungsspannungsbereich von 4,5 V bis 35 V
Spitzen-Ausgangsstrom von 2 A Quellenund Senke
Schnelle Anstiegsund Abfallzeiten von 7,5 ns bzw. 6,5 ns
Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis 150 °C
Effizientes und zuverlässiges Schalten von Leistung
Geeignet für eine Vielzahl von Leistungsanwendungen
Robuste thermische und elektrische Leistung
Einfache Integration in Leistungselektronik-Designs
Röhrchenverpackung
8-SOIC (0,154" Breite, 3,90 mm) Gehäuse mit Exposed Pad
Pakettyp: 8-SOIC-EP
Der IXDN602SI ist ein aktives Produkt. Zum jetzigen Zeitpunkt sind keine gleichwertigen oder alternativen Modelle verfügbar. Bei Fragen oder weiterem Bedarf wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsteam über unsere Website.
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Das umfassendste Datenblatt für den IXDN602SI ist auf unserer Website verfügbar. Wir empfehlen Kunden, das Datenblatt herunterzuladen, um vollständige technische Informationen zu erhalten.
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