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| Artikelnummer: | IRFH5250DTRPBF |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | IRFH5250 - 12V-300V N-CHANNEL PO |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $4.1472 |
| 10+ | $3.5695 |
| 30+ | $3.2254 |
| 100+ | $2.8771 |
| 500+ | $2.7159 |
| 1000+ | $2.6434 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 150µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | 8-PQFN (5x6) |
| Serie | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4mOhm @ 50A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 3.6W (Ta), 156W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | 8-PowerVDFN |
| Paket | Bulk |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6115 pF @ 13 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 83 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 25 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 40A (Ta), 100A (Tc) |
| IRFH5250DTRPBF Einzelheiten PDF [English] | IRFH5250DTRPBF PDF - EN.pdf |




IRFH5250DTRPBF
Infineon Technologies. Y-IC ist ein Qualitätsvertriebspartner für Infineon-Produkte und bietet Kunden die besten Produkte und Services.
Der IRFH5250DTRPBF ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET von Infineon Technologies. Er zeichnet sich durch einen niedrigen On-Widerstand und eine hohe Strombelastbarkeit aus, was ihn für eine Vielzahl von Leistungs- und Schaltanwendungen geeignet macht.
N-Kanal-MOSFET
HEXFET®-Serie
Niedriger On-Widerstand
Hohe Strombelastbarkeit
Hervorragende Leistung in der Leistungsund Schalttechnik
Zuverlässiges und langlebiges Design
Effiziente Stromumwandlung
Der IRFH5250DTRPBF ist in einem 8-PQFN-Gehäuse (5x6 mm) als Oberflächenmontage erhältlich. Das Gehäuse ist kompakt und thermisch effizient gestaltet.
Der IRFH5250DTRPBF ist ein veraltetes Produkt. Kunden werden empfohlen, sich via unserer Website an unser Vertriebsteam zu wenden, um Informationen zu entsprechenden oder alternativen Modellen zu erhalten.
Energieverwaltung
Schaltanwendungen
Motormanagement
Automotive Elektronik
Das offizielle Datenblatt für den IRFH5250DTRPBF steht auf unserer Website zum Download bereit. Kunden wird empfohlen, es für detaillierte technische Spezifikationen herunterzuladen.
Kunden werden empfohlen, Angebote für den IRFH5250DTRPBF auf unserer Website einzuholen. Fordern Sie jetzt ein Angebot an, um von unserem zeitlich begrenzten Angebot zu profitieren.
IR PQFN
MOSFET N-CH 200V 3.8A/20A PQFN
MOSFET N-CH 150V 5A/27A PQFN
INFINEON QFN
IR QFN8
MOSFET N-CH 25V 45A/100A 8PQFN
MOSFET N-CH 100V 10A/55A 8PQFN
MOSFET N-CH 25V 45A PQFN
IR QFN
IR QFN
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MOSFET N-CH 150V 5.0A PQFN
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