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| Artikelnummer: | IRF630SPBF |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Vishay / Siliconix |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.9368 |
| 200+ | $0.3626 |
| 500+ | $0.3509 |
| 1000+ | $0.3437 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | D²PAK (TO-263) |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 5.4A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 3W (Ta), 74W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 800 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 43 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 9A (Tc) |
| Grundproduktnummer | IRF630 |
| IRF630SPBF Einzelheiten PDF [English] | IRF630SPBF PDF - EN.pdf |




IRF630SPBF
Electro-Films (EFI) / Vishay
N-Kanal 200V, 9A (Tc), 3W (Ta), 74W (Tc) Oberflächenmontage DPAK (TO-263)
N-Kanal MOSFET
200V Drain-Source-Spannung
9A Dauer-Drain-Strom (Tc)
3W Leistungsaufnahme (Ta), 74W (Tc)
Oberflächenmontage DPAK (TO-263) Gehäuse
Hohe Leistungsfähigkeit
Geringer On-Widerstand
Geeignet für Hochspannungsund Hochstromanwendungen
Verpackt in Tube
TO-263-3, DPak (2 Anschlüsse + Kühlfahne), TO-263AB Gehäuse
DPAK (TO-263) Bauteilgehäuse
Unterstützt Oberflächenmontage
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MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
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