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| Artikelnummer: | IRF5803D2TRPBF |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 40V 3.4A 8SO |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.5522 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | 8-SO |
| Serie | FETKY™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 112mOhm @ 3.4A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 2W (Ta) |
| Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1110 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 37 nC @ 10 V |
| Typ FET | P-Channel |
| FET-Merkmal | Schottky Diode (Isolated) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 3.4A (Ta) |
| IRF5803D2TRPBF Einzelheiten PDF [English] | IRF5803D2TRPBF PDF - EN.pdf |




IRF5803D2TRPBF
Y-IC ist ein zuverlässiger Distributor der Marke Infineon Technologies und bietet Kunden die besten Produkte und Services.
Der IRF5803D2TRPBF ist ein P-Kanal-MOSFET aus der FETKY™-Serie mit einer Drain-Quell-Spannung (Vdss) von 40V und einem kontinuierlichen Drain-Strom (Id) von 3,4A bei 25°C. Er zeichnet sich durch einen niedrigen On-Widerstand (Rds(on)) von 112mΩ bei 10V Gate-Source-Spannung aus und eignet sich daher für Anwendungen in der Leistungsverwaltung und im Schaltbereich.
P-Kanal-MOSFET-Transistor
40V Drain-Quell-Spannung (Vdss)
3,4A Dauer-Drain-Strom (Id) bei 25°C
Niedriger On-Widerstand (Rds(on)) von 112mΩ bei 10V Gate-Source-Spannung
Schottky-Diode-Funktion
Oberflächenmontage (SMT) Gehäuse
Effiziente Leistungsverwaltung und Schaltleistung
Zuverlässiges und robustes Design für vielfältige Anwendungen
Einfache Integration in Leiterplatten dank Oberflächenmontage-Gehäuse
Der IRF5803D2TRPBF ist in einem 8-SOIC-Gehäuse (0,154" bzw. 3,90 mm Breite) für Oberflächenmontage verpackt.
Das Produkt IRF5803D2TRPBF ist veraltet. Kunden wird empfohlen, unsere Verkaufsabteilung über unsere Webseite zu kontaktieren, um Informationen zu gleichwertigen oder alternativen Modellen zu erhalten.
Stromversorgungsund Leistungsmanagementschaltungen
Schaltanwendungen
Industrieund Fahrzeugtechnik
Das offizielle Datenblatt für den IRF5803D2TRPBF ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden werden empfohlen, das Datenblatt herunterzuladen, um detaillierte technische Spezifikationen und Leistungsmerkmale zu erhalten.
Kunden wird empfohlen, Angebote auf unserer Webseite anzufordern. Fordern Sie ein Angebot an, um mehr über dieses Produkt und unsere Lösungen zu erfahren.
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