Deutsch
| Artikelnummer: | IRF5802TRPBF |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 150V 900MA MICRO6 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.7508 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | Micro6™(TSOP-6) |
| Serie | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 540mA, 10V |
| Verlustleistung (max) | 2W (Ta) |
| Verpackung / Gehäuse | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 88 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.8 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 150 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 900mA (Ta) |
| Grundproduktnummer | IRF5802 |
| IRF5802TRPBF Einzelheiten PDF [English] | IRF5802TRPBF PDF - EN.pdf |




IRF5802TRPBF
Y-IC ist ein hochwertiger Distributor von Produkten der Marke Infineon Technologies und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der IRF5802TRPBF ist ein N-Kanal-MOSFET-Transistor von Infineon Technologies. Er verfügt über ein HEXFET®-Design und eignet sich für eine Vielzahl von Leistungsmanagement- und Schaltanwendungen.
N-Kanal-MOSFET
HEXFET®-Reihe
150V Drain-Source-Spannung (Vdss)
900mA Dauer-Drain-Strom (Id) bei 25°C
Maximaler On-Widerstand (Rds(on)) von 1,2 Ohm bei 540mA und 10V
Maximale Gate-Ladung (Qg) von 6,8nC bei 10V
Betriebstemperaturbereich von -55°C bis 150°C
Effizientes Leistungsmanagement und Schaltleistung
Hohe Spannungsund Strombelastbarkeit
Geringer On-Widerstand für niedrigen Energieverlust
Breiter Betriebstemperaturbereich
Tape & Reel (TR) Verpackung
SOT-23-6 Dünn-, TSOT-23-6-Gehäuse
Oberflächenmontage-Design
Das IRF5802TRPBF ist ein aktives Produkt. Es sind gleichwertige und alternative Modelle erhältlich. Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an unser Verkaufsteam.
Netzteile
Motorsteuerungen
Schaltregler
Beleuchtungsanwendungen
Allgemeines Leistungsmanagement und Steuerung
Das umfassendste technische Datenblatt für den IRF5802TRPBF ist auf unserer Website verfügbar. Kunden werden empfohlen, es für detaillierte technische Spezifikationen herunterzuladen.
Bitte fordern Sie auf unserer Website ein Angebot für den IRF5802TRPBF an. Holen Sie sich noch heute ein Angebot oder informieren Sie sich über dieses Produkt!
IR SOT23-6
INFINEON SOT23-6
IRF5802TRPBF. IR
MOSFET P-CH 40V 3.4A 8SO
MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6
IR SOT23-6
IRF5803D2TRPBF. IR
MOSFET P-CH 40V 3.4A 8SO
MOSFET P-CH 40V 3.4A 8SO
MOSFET N-CH 150V 900MA MICRO6
MOSFET P-CH 40V 3.4A 8SO
IR SOT23-6
MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP
MOSFET P-CH 30V 4A MICRO6
MOSFET P-CH 30V 4A MICRO6
IR SOP8
MOSFET N-CH 200V 600MA MICRO6
IR SOT23-6
IR SOT23-6
IR SOP8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel




2025/01/15
2025/07/10
2025/01/27
2025/06/19
IRF5802TRPBFInfineon Technologies |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|