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| Artikelnummer: | MRF6S20010GN |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | NXP |
| Teil der Beschreibung.: | NXP SMD |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Serie | - |
| RoHs Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Bedingung | New Original Stock |
| Garantie | 100% Perfect Functions |
| Vorlaufzeit | 2-3days after payment. |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Zahlungsmittel | PayPal / Credit Card / Telegraphic Transfer |
| Versand per | DHL / Fedex / UPS |
| Hafen | HongKong |
| Anfrage-E-Mail | Info@Y-IC.com |




MRF6S20010GN
NXP Semiconductors / Freescale
Der MRF6S20010GN ist ein Hochleistungs-Silizium-LDMOS-Leistungstransistor mit hoher Frequenz. Er wurde für den Einsatz in drahtlosen Infrastruktur-Anwendungen entwickelt und arbeitet im Frequenzbereich von 1,8 GHz bis 2,2 GHz.
Hochleistungs-Silizium-LDMOS-Leistungstransistor für hohe Frequenzen
Entwickelt für Anwendungen in der drahtlosen Infrastruktur
Arbeit im Frequenzbereich von 1,8 GHz bis 2,2 GHz
Herausragende RF-Leistung
Hohe Zuverlässigkeit
Optimiert für den Einsatz in drahtlosen Infrastrukturen
Oberflächenmontagegehäuse (SMD)
Kompakte Bauform
Dieses Produkt ist aktiv und befindet sich in der Serienproduktion
Derzeit sind keine gleichwertigen oder alternativen Modelle verfügbar
Für die neuesten Informationen wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsteam auf der Y-IC Website
Anwendungen in der drahtlosen Infrastruktur
Basisstationen
Repeater
Verstärker
Das aktuelle Datenblatt für den MRF6S20010GN ist auf der Y-IC Website verfügbar. Kunden werden ermutigt, es für detaillierte technische Spezifikationen herunterzuladen.
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