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| Artikelnummer: | MRF6S19140HSR3 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | NXP USA Inc. |
| Teil der Beschreibung.: | FET RF 68V 1.99GHZ NI-880S |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Prüfung | 28 V |
| Spannung - Nennwert | 68 V |
| Technologie | LDMOS |
| Supplier Device-Gehäuse | NI-880S |
| Serie | - |
| Leistung | 29W |
| Verpackung / Gehäuse | NI-880S |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Rauschmaß | - |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Gewinnen | 16dB |
| Frequenz | 1.93GHz ~ 1.99GHz |
| Aktuelle Bewertung (AMPs) | - |
| Strom - Test | 1.15 A |
| Grundproduktnummer | MRF6 |
| MRF6S19140HSR3 Einzelheiten PDF [English] | MRF6S19140HSR3 PDF - EN.pdf |




MRF6S19140HSR3
Y-IC ist ein hochwertiger Distributor von NXP Semiconductors Produkten. Wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der MRF6S19140HSR3 ist ein Hochleistungs-RF-Leistungs-MOSFET von NXP Semiconductors. Er ist für den Einsatz in drahtlosen Infrastruktur-Anwendungen im Frequenzbereich von 1,93 GHz bis 1,99 GHz konzipiert.
– Frequenzbereich: 1,93 GHz bis 1,99 GHz
– Verstärkung: 16 dB
– Test-Spannung: 28 V
– Test-Strom: 1,15 A
– Ausgangsleistung: 29 W
– Nennspannung: 68 V
– Hochleistungs-RF-Leistungs-MOSFET
– Geeignet für drahtlose Infrastruktur-Anwendungen
– Zuverlässig und langlebig
– Gehäuse/Typ: NI-880S
– Oberflächenmontage (SMD)
Der MRF6S19140HSR3 ist ein veraltetes Produkt.
– Es können gleichwertige oder alternative Modelle erhältlich sein. Bitte wenden Sie sich an unser Vertriebsteam für weitere Informationen.
Drahtlose Infrastruktur-Anwendungen
Das offiziellste Datenblatt für den MRF6S19140HSR3 ist auf unserer Website verfügbar. Kunden werden empfohlen, es herunterzuladen.
Fordern Sie jetzt ein Angebot für den MRF6S19140HSR3 auf unserer Website an. Kontaktieren Sie unser Vertriebsteam für weitere Informationen.
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