Deutsch
| Artikelnummer: | FDB8441 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Freescale |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.7186 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | D²PAK (TO-263AB) |
| Serie | PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5 mOhm @ 80A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 300W (Tc) |
| Teilstatus | Active |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 15000pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 280nC @ 10V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 28A (Ta), 120A (Tc) |
| FDB8441 Einzelheiten PDF [English] | FDB8441 PDF - EN.pdf |




FDB8441
Y-IC ist ein Qualitätsdistributor von onsemi-Produkten und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der FDB8441 ist ein leistungsstarker N-Kanal-MOSFET aus der PowerTrench®-Serie von onsemi, konzipiert für Hochleistungs-Schaltanwendungen im Bereich der Stromversorgung.
N-Kanal-MOSFET
PowerTrench®-Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss) von 40V
Kontinuierlicher Drain-Strom (Id) von 28A bei 25°C
Kontinuierlicher Drain-Strom (Id) von 120A bei 100°C
Niedrige On-Widerstand (Rds(on)) von 2,5mΩ
Unterstützung für Hochfrequenz-Schaltungen
Hervorragende Leistungsfähigkeit im Stromhandling
Hohe Effizienz durch niedrigen On-Widerstand
Ideal für Hochleistungsanwendungen
Gehäuse: TO-263 (D2PAK)
2 Anschlüsse + Kühlkörper
Oberflächenmontage
Unterstützt hohe Leistungsaufnahme bis zu 300W
Dieses Produkt ist nicht mehr erhältlich
Kunden werden gebeten, unser Verkaufsteam für Informationen zu gleichwertigen oder alternativen Modellen zu kontaktieren
Schaltende Netzteile
Motorensteuerungen
Industrieautomatisierung
Automobiltechnik
Das offiziellste Datenblatt für den FDB8441 steht auf unserer Webseite zum Download bereit. Kunden werden empfohlen, es für detaillierte technische Spezifikationen herunterzuladen.
Kunden wird empfohlen, auf unserer Webseite Angebote für den FDB8441 anzufordern. Holen Sie sich ein Angebot oder erfahren Sie mehr über dieses zeitlich begrenzte Angebot.
MOSFET N-CH 40V 28A/80A TO263AB
MOSFET N-CH 40V 28A/80A TO263AB
28A, 40V, 0.0029OHM, N-CHANNEL,
FDB8442_F085 Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
MOSFET N-CH 40V 28A/80A TO263AB
80A, 30V, 0.0018OHM, N-CHANNEL,
MOSFET N-CH 40V 28A TO263AB
MOSFET N-CH 40V 28A/120A TO263AB
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
MOSFET N-CH 40V 25A/120A TO263AB
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
MOSFET N-CH 40V 25A/120A TO263AB
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
FDB8441S FAIRCHI
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel
2024/01/20
2025/02/17
2025/01/22
2025/01/27
FDB8441Freescale |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|