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| Artikelnummer: | FDB8442 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 40V 28A/80A TO263AB |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 166+ | $1.6833 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | D2PAK (TO-263) |
| Serie | PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.9mOhm @ 80A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 254W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Paket | Bulk |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 12200 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 235 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 28A (Ta), 80A (Tc) |
| FDB8442 Einzelheiten PDF [English] | FDB8442 PDF - EN.pdf |




FDB8442
onsemi – Y-IC ist ein Qualitätsdistributor von onsemi-Produkten und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der FDB8442 ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET aus der PowerTrench-Serie von onsemi, entwickelt für vielfältige Anwendungen im Bereich der Leistungsverwaltung und Steuerung.
N-Kanal-MOSFET
40V Drain-Source-Spannung
28A Dauerlaststrom (Ta), 80A Dauerlaststrom (Tc)
Maximaler On-Widerstand von 2,9 mΩ bei 80A, 10V
Maximaler Gate-Charge von 235 nC bei 10V
±20V Gate-Source-Spannung
Maximaler Eingangs-Kapazität von 12200 pF bei 25V
Maximaler Leistung Übertragung von 254 W (Tc)
Betriebstemperaturbereich von -55°C bis 175°C
Oberflächenmontierter TO-263 (D2PAK) Geäuse
Hohe Leistungsaufnahme
Geringer On-Widerstand für bessere Effizienz
Schnelles Schalten öffnet Hochfrequenzanwendungen
Robustes Design für zuverlässigen Betrieb
Der FDB8442 ist in einem oberflächenmontierten TO-263 (D2PAK) Geäuse verpackt, das gute thermische Eigenschaften und elektrische Parameter bietet.
Das Produkt FDB8442 ist veraltet. Kunden werden gebeten, sich über die Y-IC-Website an unser Vertriebsteam zu wenden, um Informationen zu gleichwertigen oder alternativen Modellen zu erhalten.
Stromversorgungs-Schaltungen
Motorsteuerung
Schaltende Netzteile
Hochstromund Hochleistungsanwendungen
Das aktuellste Datenblatt für den FDB8442 ist auf der Y-IC-Website verfügbar. Kunden wird empfohlen, das Datenblatt herunterzuladen, um detaillierte technische Informationen zu erhalten.
Kunden wird empfohlen, Angebote für den FDB8442 auf der Y-IC-Website einzuholen. Fordern Sie ein Angebot an, informieren Sie sich oder nutzen Sie unser zeitlich begrenztes Angebot.
80A, 30V, 0.0018OHM, N-CHANNEL,
MOSFET N-CH 40V 28A/80A TO263AB
FAIRCHILD TO-263
MOSFET N-CH 40V 25A/120A TO263AB
MOSFET N-CH 40V 70A TO263AB
MOSFET N-CH 40V 28A TO263AB
FDB8442_F085 Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 28A/120A TO263AB
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
FDB8441S FAIRCHI
MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
FDB8443_F085 Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
MOSFET N-CH 40V 28A/80A TO263AB
MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
MOSFET N-CH 40V 25A TO263AB
28A, 40V, 0.0029OHM, N-CHANNEL,
MOSFET N-CH 40V 25A/120A TO263AB
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2025/01/27
FDB8442Fairchild Semiconductor |
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Zielpreis (USD)
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