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| Artikelnummer: | FQPF7N10 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 100V 5.5A TO220F |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-220F-3 |
| Serie | QFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350mOhm @ 2.75A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 23W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 Full Pack |
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 250 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 5.5A (Tc) |
| FQPF7N10 Einzelheiten PDF [English] | FQPF7N10 PDF - EN.pdf |




FQPF7N10
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
N-Kanal 100V, 5,5A (Tc), 23W (Tc), Durchgangsloch TO-220F
N-Kanal MOSFET
100V Drain-Source-Spannung
5,5A Dauerbetriebsstrom
23W Leistungsverlust
Durchgangsloch-Gehäuse TO-220F
Zuverlässige und langlebige Leistung
Hohe Strombelastbarkeit
Vielseitig in verschiedenen Anwendungen einsetzbar
Kabelverpackung
Vollverpackung im TO-220-3-Format
Gehäuseform TO-220F
Thermische Eigenschaften: 23W Leistungsabgabe (Tc)
Elektrische Eigenschaften: 100V Drain-Source-Spannung, 5,5A Dauerstrom
Dieses Produkt steht nicht vor der Einstellung
Verfügbare Ersatzoder Alternative Modelle:
- FQPF7N10L
- FQPF7N10LTU
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FQPF7N10Fairchild Semiconductor |
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Zielpreis (USD)
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