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| Artikelnummer: | FQPF6N80 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 800V 3.3A TO220F |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-220F-3 |
| Serie | QFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.95Ohm @ 1.65A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 51W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 Full Pack |
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1500 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 800 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 3.3A (Tc) |
| FQPF6N80 Einzelheiten PDF [English] | FQPF6N80 PDF - EN.pdf |




FQPF6N80
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N-Kanal 800V, 3,3A (Tc), 51W (Tc) Durchgangsloch TO-220F
N-Kanal MOSFET
800V Drain-Source-Spannung
3,3A Dauerstrom
51W Leistungsaufnahme
Durchgangsloch Gehäuse TO-220F
Hohe Spannungsund Leistungsverarbeitungskapazität
Geeignet für eine Vielzahl von Leistungsanwendungen
Zuverlässige und langlebige Leistung
Röhrchenverpackung
Vollpackung im Gehäuse TO-220-3
Gehäuse TO-220F
Thermische Eigenschaften und elektrische Parameter, die für die jeweilige Anwendung geeignet sind
Dieses Produkt steht nicht vor dem Ablaufdatum.
Es sind gleichwertige oder alternative Modelle erhältlich. Kontaktieren Sie unser Vertriebsteam für weitere Informationen.
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Schaltende Netzteile
Industrieund Unterhaltungselektronik
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