Deutsch

| Artikelnummer: | FQD8N25TF |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 250V 6.2A DPAK |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 606+ | $0.468 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-252, (D-Pak) |
| Serie | QFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 550mOhm @ 3.1A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 2.5W (Ta), 50W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Paket | Bulk |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 530 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 250 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 6.2A (Tc) |
| FQD8N25TF Einzelheiten PDF [English] | FQD8N25TF PDF - EN.pdf |




FQD8N25TF
Y-IC ist ein hochwertiger Distributor von Produkten der Marke onsemi und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der FQD8N25TF ist ein N-Kanal-MOSFET mit einer Drain-Source-Spannung von 250V und einem kontinuierlichen Drain-Strom von 6,2A bei 25°C. Er zeichnet sich durch eine geringe On-Widerstandswerte und schnelle Schaltzeiten aus, was ihn ideal für verschiedene Anwendungen im Bereich Energieverwaltung und Schalttechnik macht.
N-Kanal-MOSFET
250V Drain-Source-Spannung
6,2A Dauerstrom bei 25°C
Geringe On-Widerstandswerte
Schnelle Schaltzeiten
Ideal für Energieverwaltung und Schaltanwendungen
Zuverlässige und leistungsstarke Qualität der Marke onsemi
TO-252-3, DPAK (2 Kontakte + Kühlfahne), SC-63 Gehäuse
Oberflächenmontage
Dieses Produkt ist veraltet.
Kunden werden gebeten, sich über unsere Vertriebsseite an unser Verkaufsteam zu wenden, um Informationen zu gleichwertigen oder alternativen Modellen zu erhalten.
Energieverwaltung
Schaltanwendungen
Das offizielle Datenblatt für den FQD8N25TF ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden werden empfohlen, es herunterzuladen.
Kunden werden empfohlen, Angebote direkt auf unserer Webseite anzufordern. Holen Sie sich noch heute ein Angebot oder erfahren Sie mehr über dieses Produkt!
FAIRCHI TO-252
FAIRCHILD SOT-252
ON TO-252
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
FAIRCHILD TO-252
MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK
MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK
FQD8P10 FAIRCHI
MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK
FQD8N25 FAIRCHILD
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
FQD8N60 FSC
MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK
FAIRCHILD SOT-252
MOSFET N-CH 250V 6.2A DPAK
2026/05/12
2026/05/8
2026/04/28
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel




2025/08/1
2025/01/27
2025/04/17
2024/04/13
FQD8N25TFFairchild Semiconductor |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|