Deutsch
| Artikelnummer: | FQD7P20TM |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.7489 |
| 10+ | $0.6057 |
| 30+ | $0.5355 |
| 100+ | $0.4138 |
| 500+ | $0.3724 |
| 1000+ | $0.3494 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-252AA |
| Serie | QFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 690mOhm @ 2.85A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 2.5W (Ta), 55W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 770 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Typ FET | P-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 5.7A (Tc) |
| Grundproduktnummer | FQD7P20 |
| FQD7P20TM Einzelheiten PDF [English] | FQD7P20TM PDF - EN.pdf |




FQD7P20TM
Y-IC ist ein hochwertiger Distributor von onsemi-Produkten und bietet Kunden die besten Produkte und Services.
Der FQD7P20TM ist ein P-Kanal-Leistungs-MOSFET von onsemi, der für eine Vielzahl von Stromumwandlungs- und Steuerungsanwendungen entwickelt wurde.
P-Kanal MOSFET mit einer Spannungsfestigkeit von 200 V zwischen Drain und Source
Kontinuierlicher Drain-Strom von 5,7A bei 25°C Gehäusetemperatur
Geringer On-Widerstand von 690 mΩ bei 2,85A, 10V
Gate-Source-Spannungsbereich von ±30 V
Leistungsaufnahme bis zu 55 W bei 25°C Gehäusetemperatur
Effiziente Stromumwandlung und Steuerung durch niedrigen On-Widerstand
Breiter Betriebstemperaturbereich von -55°C bis 150°C
Kompaktes Oberflächenmontagegehäuse für platzkritische Designs
Zuverlässige Leistung in verschiedenen Leistungsanwendungen
Spule und Rolle (Tape and Reel, TR)
TO-252-3, DPAK (2 Anschlüsse + Steckfahne), SC-63 Geäuse
Oberflächenmontagegehäuse
Der FQD7P20TM ist ein aktives Produkt
Es sind gleichwertige oder alternative Modelle verfügbar, wie z.B. der FQD7N20TM (N-Kanal-MOSFET)
Kunden wird empfohlen, unser Vertriebsteam für weitere Informationen zu Alternativen zu kontaktieren
Netzteile
Motorantriebe
Beleuchtungsballasts
Industrieautomatisierung
Telekommunikationsausrüstung
Das offizielle Datenblatt für den FQD7P20TM steht auf unserer Website zum Download bereit. Kunden wird empfohlen, das Datenblatt für detaillierte Produktinformationen und Leistungsdaten herunterzuladen.
Kunden werden empfohlen, Angebote für den FQD7P20TM auf unserer Website anzufordern. Holen Sie sich jetzt ein Angebot, um von unserem zeitlich begrenzten Angebot zu profitieren.
MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK
FAIRCHILD TO-252
FQD8N60 FSC
MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK
MOSFET N-CH 250V 6.2A DPAK
FAIRCHILD SOT-252
MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK
FQD8P10 FAIRCHI
MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK
MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK
FAIRCHI TO-252
FQD7P20 Original
MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK
MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK
FQD8N25 FAIRCHILD
MOSFET N-CH 250V 6.2A DPAK
MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK
FQD7P10TF FAI
FAIRCHILD TO-252
FAIRCHILD SOT-252
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel





2025/07/21
2025/02/10
2025/01/24
2025/02/23
FQD7P20TMonsemi |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|