Deutsch
| Artikelnummer: | FQD8P10TM-F085 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.662 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-252AA |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 530mOhm @ 3.3A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 2.5W (Ta), 44W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 470 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Typ FET | P-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 6.6A (Tc) |
| Grundproduktnummer | FQD8P10 |
| FQD8P10TM-F085 Einzelheiten PDF [English] | FQD8P10TM-F085 PDF - EN.pdf |




FQD8P10TM-F085
Y-IC ist ein hochwertiger Distributor von onsemi-Produkten und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der FQD8P10TM-F085 ist ein P-Kanal-MOSFET von onsemi. Er ist für eine Vielzahl von Anwendungen im Bereich Spannungsregulierung und Leistungsmanagement konzipiert.
P-Kanal-MOSFET
Drain-Source-Spannung von 100 V
Kontinuierlicher Drain-Strom von 6,6 A
Geringer On-Widerstand
Schnelle Schaltzeiten
AEC-Q101 qualifiziert
Effizientes Leistungsmanagement
Zuverlässige Performance
Automobilzulassung in hochwertiger Qualität
Band & Reel (TR) Verpackung
TO-252-3, DPAK (2 Anschlüsse + Kühlkörper), SC-63 Gehäuse
Oberflächenmontage (SMD) Typ
Das Produkt FQD8P10TM-F085 ist ein aktives Bauteil. Es sind äquivalente oder alternative Modelle von onsemi erhältlich. Kunden wird empfohlen, sich über unsere Verkaufsabteilung auf unserer Webseite zu informieren.
Netzteile
Motorsteuerungen
Automobiltechnik
Industrielle Steuerungssysteme
Das offizielle Datenblatt für den FQD8P10TM-F085 ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden wird empfohlen, das Datenblatt herunterzuladen, um detaillierte Produktspezifikationen einzusehen.
Kunden wird empfohlen, Angebote direkt auf unserer Webseite einzuholen. Fordern Sie noch heute ein Angebot an oder erfahren Sie mehr über dieses Produkt.
MOSFET N-CH 80V 7.4A DPAK
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
FAIRCHILD TO-252
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
FQD8P10 FAIRCHI
FQD9N08L VB
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
FQD8N60 FSC
ON TO-252
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
FQD8P10TM_F085 Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
FQD9N15 Original
MOSFET N-CH 80V 7.4A DPAK
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
MOSFET N-CH 250V 6.2A DPAK
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel




2024/12/4
2025/02/23
2024/05/16
2024/06/14
FQD8P10TM-F085onsemi |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|