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| Artikelnummer: | FQA32N20C |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
| Teil der Beschreibung.: | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3 |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 230+ | $1.216 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-3PN |
| Serie | QFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 82mOhm @ 16A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 204W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Paket | Bulk |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2220 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 32A (Tc) |
| FQA32N20C Einzelheiten PDF [English] | FQA32N20C PDF - EN.pdf |




FQA32N20C
Y-IC ist ein hochwertiger Distributor von Produkten der Marke onsemi und bietet Kunden die besten Produkte und Services.
Der FQA32N20C ist ein einzelner N-Kanal-MOSFET im Gehäuse TO-3P-3. Er gehört zur QFET®-Serie von onsemi.
– N-Kanal-MOSFET
– 200V Drain-Source-Spannung (Vdss)
– 32A Dauer-Drain-Strom bei 25°C
– 10V Ansteuerspannung (Max Rds On, Min Rds On)
– Maximaler Rds On-Wert von 82 mΩ bei 16A, 10V
– Maximaler Gate-Schwellenwert (Vgs(th)) von 4V bei 250µA
– Maximaler Gate-Ladung (Qg) von 110 nC bei 10V
– Maximaler Gate-Source-Spannung (Vgs) von ±30V
– Maximaler Eingangskondensator (Ciss) von 2220 pF bei 25V
– Maximale Verlustleistung (Tc) von 204W
– Betriebstemperaturbereich von -55°C bis 150°C
– Robuste und zuverlässige Leistung
– Hohe Leistungsfähigkeit
– Niedriger Rds On für effiziente Energieumwandlung
– Geeignet für eine Vielzahl von Hochleistungsanwendungen
Das FQA32N20C ist in einem TO-3P-3 (TO-3PN) Durchsteckgehäuse verpackt. Das Gehäuse bietet gute thermische Eigenschaften und elektrische Performance.
Das FQA32N20C ist ein veraltetes Produkt. Es sind jedoch äquivalente oder alternative Modelle von onsemi erhältlich. Kunden wird empfohlen, unseren Vertrieb über unsere Website für weitere Informationen zu kontaktieren.
– Netzteile
– Motorsteuerungen
– Industrielle Steuerungssysteme
– Haushaltsgeräte
– Automotive-Elektronik
Das offizielle Datenblatt für den FQA32N20C ist auf unserer Website verfügbar. Kunden wird empfohlen, das Datenblatt herunterzuladen, um detaillierte technische Spezifikationen und Leistungsinformationen zu erhalten.
Kunden werden empfohlen, Angebote für den FQA32N20C direkt auf unserer Website einzuholen. Fordern Sie noch heute ein Angebot an, um von unseren wettbewerbsfähigen Preisen und zuverlässiger Versorgung zu profitieren.
FAIRCHILD TO-3P
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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
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