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| Artikelnummer: | FDB8860 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
| Teil der Beschreibung.: | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3 |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $1.7151 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | D²PAK (TO-263) |
| Serie | PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3mOhm @ 80A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 254W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Paket | Bulk |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 12585 pF @ 15 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 214 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 80A (Tc) |
| FDB8860 Einzelheiten PDF [English] | FDB8860 PDF - EN.pdf |




FDB8860
Y-IC ist ein hochwertiger Distributor von onsemi-Produkten und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der FDB8860 ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET mit PowerTrench®-Technologie. Er wurde für eine Vielzahl von Leistungsmanagement- und Schaltanwendungen entwickelt.
– N-Kanal-MOSFET
– PowerTrench®-Technologie
– 30V Drain-Source-Spannung (Vdss)
– 80A Dauer-Siedestrom (Id) bei 25°C
– Maximaler On-Widerstand (Rds(on)) von 2,3mΩ bei 80A, 10V
– Maximaler Gate-Ladung (Qg) von 214nC bei 10V
– Betriebstemperaturbereich von -55°C bis 175°C
– Hohe Effizienz und geringer Stromverbrauch
– Hervorragende Schaltleistung
– Zuverlässiges und robustes Design
– Geeignet für eine Vielzahl von Leistungsanwendungen
– Cut Tape (CT)-Verpackung
– TO-263 (D2PAK) Oberflächenmontagegehäuse
– 2 Leads + Tab-Konfiguration
– Optimiert für thermische und elektrische Eigenschaften
– Dieses Produkt ist veraltet
– Kunden werden empfohlen, unseren Vertrieb über die Website zu kontaktieren, um gleichwertige oder alternative Modelle zu erhalten
– Leistungsmanagement
– Schaltanwendungen
– Motorsteuerung
– Industrie- und Unterhaltungselektronik
Das umfassendste Datenblatt für den FDB8860 ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden wird empfohlen, es für detaillierte Produktspezifikationen herunterzuladen.
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FAIRCHILD TO-263
FDB8860 - N-CHANNEL LOGIC LEVEL
MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK
FDB8832_F085 Fairchild/ON Semiconductor
FDB8832 - N-CHANNEL LOGIC LEVEL
MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK
MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
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FAIRCHILD TO-263
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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
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FDB8860Fairchild Semiconductor |
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Zielpreis (USD)
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