Deutsch

| Artikelnummer: | FDB8832 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
| Teil der Beschreibung.: | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3 |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | D2PAK (TO-263) |
| Serie | PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9mOhm @ 80A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 300W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Paket | Bulk |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 11400 pF @ 15 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 265 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 34A (Ta), 80A (Tc) |
| FDB8832 Einzelheiten PDF [English] | FDB8832 PDF - EN.pdf |




FDB8832
onsemi - Y-IC ist ein Qualitätsvertreiber von Produkten der Marke onsemi und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der FDB8832 ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET aus der PowerTrench®-Serie von onsemi. Er ist für Stromversorgungs- und Schaltanwendungen konzipiert, dank seiner hohen Stromfähigkeit und des niedrigen On-Widerstands.
N-Kanal-MOSFET
PowerTrench®-Technologie
30V Drain-Source-Spannung
34A Dauer-Drain-Strom (Ta), 80A (Tc)
Maximaler On-Widerstand von 1,9 mΩ
Maximaler Gate-Charge von 265 nC
Betriebstemperaturbereich von -55°C bis 175°C
Oberflächenmontage im TO-263 (D2PAK)-Gehäuse
Hohe Stromfähigkeit
Niedriger On-Widerstand für eine bessere Effizienz
Robuste PowerTrench®-Technologie
Geeignet für vielfältige Anwendungen im Bereich Strommanagement
Cut Tape (CT) & Digi-Reel® Verpackung
Gehäusetyp TO-263-3, D2PAK (2 Anschlüsse + Kühlhilfe), TO-263AB
Das Produkt ist nicht mehr erhältlich
Für Ersatzoder Alternativmodelle kontaktieren Sie bitte unser Vertriebsteam für weitere Informationen
Strommanagement
Schaltelektronik
Industrieund Unterhaltungselektronik
Das umfassendste technische Datenblatt für den FDB8832 steht auf unserer Webseite zum Download bereit. Für detaillierte technische Informationen wird den Kunden empfohlen, das Datenblatt herunterzuladen.
Kunden werden empfohlen, Angebote für den FDB8832 auf unserer Webseite anzufordern. Holen Sie sich ein Angebot oder erfahren Sie mehr über dieses zeitlich begrenzte Angebot.
FAIRCHILD TO-263
MOSFET N-CH 30V 34A TO263AB
FDB8832_F085 Fairchild/ON Semiconductor
FDB86366 FAIRCHILD
MOSFET N-CH 30V 34A/80A TO263AB
MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK
MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
FAIRCHILD TO-263
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK
FDB8832 - N-CHANNEL LOGIC LEVEL
FDB86563 FAIRCHILD
MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK
FDB86366_F085 Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK
MOSFET N-CH 60V 110A TO-263
FDB8860 - N-CHANNEL LOGIC LEVEL
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel





2025/01/23
2025/02/17
2025/01/24
2025/01/27
FDB8832Fairchild Semiconductor |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|