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| Artikelnummer: | 2MBI50N120 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | FUJI |
| Teil der Beschreibung.: | FUJI |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Serie | - |
| RoHs Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Bedingung | New Original Stock |
| Garantie | 100% Perfect Functions |
| Vorlaufzeit | 2-3days after payment. |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Zahlungsmittel | PayPal / Credit Card / Telegraphic Transfer |
| Versand per | DHL / Fedex / UPS |
| Hafen | HongKong |
| Anfrage-E-Mail | Info@Y-IC.com |




2MBI50N120
FUJI
Das 2MBI50N120 ist ein Hochleistungs-Isolierter Gate Bipolar Transistor (IGBT)-Modul von FUJI Electric.
Hohe Schaltgeschwindigkeit, geringe Leitungsverluste, hohe Leistungsfähigkeit, Betriebstemperaturen bis zu hohen Temperaturen
Verbesserte Energieeffizienz bei der Leistungselektronik, robuste und zuverlässige Leistung, kompaktes und platzsparendes Design
Kunststoffgehäuse, 6-polige Konfiguration, hohe thermische und elektrische Eigenschaften
Das 2MBI50N120 ist ein aktives Produkt, es sind gleichwertige oder alternative Modelle erhältlich. Kontaktieren Sie unser Vertriebsteam für weitere Informationen.
Industrielle Motorantriebe, Stromversorgungen, Schweißgeräte, USV-Systeme (Unterbrechungsfreie Stromversorgung)
Das offizielle Datenblatt für das 2MBI50N120 ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden werden empfohlen, es herunterzuladen.
Fordern Sie jetzt ein Angebot auf unserer Webseite an. Holen Sie sich ein Angebot für dieses Hochleistungs-FUJI IGBT-Modul.
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Zielpreis (USD)
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