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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysDMN3135LVTQ-7
Diodes Incorporated
Image kann eine Darstellung sein.
siehe Spezifikationen für Produktdetails.

Diodes Incorporated DMN3135LVTQ-7

Artikelnummer: DMN3135LVTQ-7
Hersteller / Marke: Diodes Incorporated
Teil der Beschreibung.: MOSFET BVDSS: 25V~30V TSOT26 T&R
Datenblätte:
1.DMN3135LVTQ-7.pdf ···

Datenblätter

DMN3135LVTQ.pdf
RoHs Status: Lead free / RoHs compliant
Zahlungsmittel: PayPal / Credit Card / T/T
Versandweg: DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS
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vorrätig: 48334 Pcs Stock

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  • Diodes Incorporated DMN3135LVTQ-7 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated DMN3135LVTQ-7 .
    Produkteigenschaften Eigenschaften
    VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
    Technologie MOSFET (Metal Oxide)
    Supplier Device-Gehäuse TSOT-26
    Serie Automotive, AEC-Q101
    Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 3.1A, 10V
    Leistung - max 840mW (Ta)
    Verpackung / Gehäuse SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    Paket Bulk
    Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
    Produkteigenschaften Eigenschaften
    Befestigungsart Surface Mount
    Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 305pF @ 15V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9nC @ 10V
    FET-Merkmal -
    Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V
    Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.5A (Ta)
    Konfiguration 2 N-Channel (Dual)
    Grundproduktnummer DMN3135
  • Rückgaberichtlinie
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    - Ursprüngliche Rechnungsnummer
    - Foto der Teile
    - Kurze Erklärung oder Prüfbericht mit Angabe des Rücksendegrundes
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  • Qualitätskontrolle (QC)

    Alle Produkte unterliegen strengen Wareneingangsprüfungen und Qualitätskontrollverfahren.
    Wir gewährleisten Teileauthentizität, korrekte Spezifikationen und zuverlässige Leistung durch standardisierte Tests und kontinuierliche Prozessverbesserung.
    Qualitätsgarantie

    Verpackung

    ESD-Antistatischer Schutz.
    Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt und mit ESD-Antistatikschutz versendet. Das Etikett auf der äußeren ESD-Verpackung enthält unsere Firmeninformationen: Teilenummer, Marke und Menge.

    Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, um sicherzustellen, dass sie sich in einwandfreiem Zustand befinden, und verifizieren, dass die Teile neu, original und gemäß den Datenblattspezifikationen sind. Nachdem bestätigt wurde, dass alles in Ordnung ist, verpacken wir die Artikel sicher und versenden sie per internationalem Expressversand.

DMN3135LVTQ-7 Produktdetails

Herstellerteilenummer

DMN3135LVTQ-7

Hersteller

Y-IC ist ein Qualitätslieferant für Diode-Markenprodukte und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.

Detaillierte Beschreibung

Der DMN3135LVTQ-7 ist ein dualer N-Kanal-MOSFET mit einer Drain-Source-Spannung (Vdss) von 30 V und einem kontinuierlichen Drainstrom (Id) von 3,5 A bei 25°C. Er wurde für den Einsatz in verschiedenen Anwendungen entwickelt, einschließlich Energiemanagement, Schaltkreisen und Steuerungssystemen.

Schlüsselmerkmale

Dualer N-Kanal-MOSFET

Drain-Source-Spannung (Vdss) von 30 V

Kontinuierlicher Drainstrom (Id) von 3,5 A bei 25°C

Niediger On-Widerstand (Rds(on)) von 60 mOhm bei 3,1 A, 10 V

Gate-Source-Schwellenspannung (Vgs(th)) von 2,2 V bei 250 μA

Gate-Ladung (Qg) von 9 nC bei 10 V

Eingangskapazität (Ciss) von 305 pF bei 15 V

Maximale Verlustleistung (Ta) von 840 mW

Betriebstemperaturbereich von -55°C bis 150°C (TJ)

Wichtigste Vorteile

Zuverlässiges und effizientes Energiemanagement

Vielseitig einsetzbar in verschiedenen Anwendungen

Kompakte Oberflächenmontage-Gehäuse

Verpackung

Gehäusetyp: SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6

Gerätegehäuse: TSOT-26

Lebenszyklus

Das DMN3135LVTQ-7 ist ein aktives Produkt.

Es sind gleichwertige oder alternative Modelle erhältlich. Bitte kontaktieren Sie unser Vertriebsteam über unsere Webseite für weitere Informationen.

Schlüsselanwendungsbereiche

Energiemanagement

Schaltkreise

Steuerungssysteme

Datenblatt

Das offizielle Datenblatt für den DMN3135LVTQ-7 steht auf unserer Website zum Download bereit. Kunden wird empfohlen, es für detaillierte Produktinformationen herunterzuladen.

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Benutzerbewertung

  • Geor***cott

    Works fine as a signal component in timing circuits. No issues so far.

    2026/05/12

  • Oliv***arris

    good communication

    2026/05/8

  • Bria***lson

    Reliable FPGA. Worked smoothly in my MCU + signal integration project.

    2026/04/28

  • Jess***Miller

    It works well in my FPGA signal processing setup. Performance is stable and meets the spec without issues so far.

    2026/04/20

  • Powe***sign_Guy

    LM5145RGYR works fine in a DC-DC power design. Efficiency is good, but layout needs to be carefully optimized.

    2026/04/17

  • Powe***ive_

    Used the FF900R12IP4 in an automotive inverter project. Power handling is solid and thermal performance is stable under load.

    2026/04/8

  • Vipe***rcuit

    One unit failed during initial power-up, but the rest were fine. Mixed experience overall.

    2026/03/31

  • Hiro*** T.

    Perfect replacement part. My system worked immediately after installation.

    2026/03/23

  • Yuki***

    Works very well. I used AD8108ASTZ for video switching project. Stable and no noise problem.

    2026/03/20

  • Jaso***.

    Used the AD8108ASTZ in a video routing board and it worked perfectly. Clean switching and no noticeable signal degradation.

    2026/03/9

  • Devo***.

    Exactly as described. Great price for a pack of 10.

    2026/03/4

  • Alex***

    Moderate quality chip. Works fine at room temperature, but in high temp conditions it seemed to drift. Not terrible, but not premium either.

    2026/02/28

  • Core***nalSourcing

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    2026/02/3

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    2026/01/28

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    2026/01/19

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    2026/01/9

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    2025/10/16

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    2025/09/17

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