Deutsch
| Artikelnummer: | DMN2450UFB4-7B |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Diodes Incorporated |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 10+ | $0.0531 |
| 100+ | $0.0424 |
| 300+ | $0.0371 |
| 1000+ | $0.0331 |
| 5000+ | $0.0299 |
| 10000+ | $0.0283 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | X2-DFN1006-3 |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 600mA, 4.5V |
| Verlustleistung (max) | 500mW (Ta) |
| Verpackung / Gehäuse | 3-XFDFN |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 56 pF @ 16 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.3 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 1A (Ta) |
| Grundproduktnummer | DMN2450 |




DMN2450UFB4-7B
Diodes
Der DMN2450UFB4-7B ist ein N-Kanal-MOSFET mit einer Drain-Source-Spannung von 20V und einem maximalen Dauerabstrom von 1A bei 25°C. Er zeichnet sich durch niedrigen Rds(on) und schnelle Schaltfähigkeit aus, was ihn ideal für eine Vielzahl von Leistungsmanagement- und Schaltanwendungen macht.
N-Kanal-MOSFET, Drain-Source-Spannung (Vdss) von 20V, Dauerabstrom (ID) von 1A bei 25°C, niedriger Rds(on) von 400mΩ bei 600mA und 4,5V, schnelle Schaltfähigkeit, ±12V Gate-Source-Spannungsbereich
Effizientes Leistungsmanagement, Zuverlässige und robuste Leistung, Vielseitig einsetzbar in verschiedenen Anwendungen
Reel & Tape (TR), 3-XFDFN Gehäuse, Oberflächenmontage-Technologie, Wärme- und elektrische Eigenschaften geeignet für die jeweiligen Anwendungen
Das DMN2450UFB4-7B ist ein aktives Produkt. Es gibt gleichwertige oder alternative Modelle wie DMN2450UFB4-7, DMN2450UDT-7 und DMN2450UFXE-7. Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsteam über unsere Webseite.
Leistungsmanagement-Schaltungen, Schaltanwendungen, Verstärker-Schaltungen, Motorsteuerung, Allgemeine Schaltaufgaben
Das offizielle Datenblatt für den DMN2450UFB4-7B steht auf unserer Webseite zum Download bereit. Kunden werden empfohlen, das Datenblatt für detaillierte technische Spezifikationen und Leistungsmerkmale zu nutzen.
Fordern Sie jetzt ein Angebot auf unserer Webseite an. Erhalten Sie ein individuelles Angebot oder informieren Sie sich über den DMN2450UFB4-7B und weitere Dioden-Produkte.
DMN2450UFD DIODES
MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
DMN2400UFDQ DIODES
DIODES SOT563
MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
DMN2400UV D
MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN
MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN
DIODES NA
MOSFET 2N-CH 20V 1.33A SOT563
MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN
MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN
MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3
DIODES DFN1212-3
MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN
MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN
DMN24H11DS DIODES
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel







2024/12/4
2025/01/15
2025/07/22
2024/10/23
DMN2450UFB4-7BDiodes Incorporated |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|