Deutsch

| Artikelnummer: | DMN2400UFD-7 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Diodes Incorporated |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 10+ | $0.0602 |
| 100+ | $0.0487 |
| 300+ | $0.0429 |
| 3000+ | $0.0385 |
| 6000+ | $0.0351 |
| 9000+ | $0.0333 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | X1-DFN1212-3 |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 200mA, 4.5V |
| Verlustleistung (max) | 400mW (Ta) |
| Verpackung / Gehäuse | 3-UDFN |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 37 pF @ 16 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 500 nC @ 4.5 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 900mA (Ta) |
| Grundproduktnummer | DMN2400 |
| DMN2400UFD-7 Einzelheiten PDF [English] | DMN2400UFD-7 PDF - EN.pdf |




DMN2400UFD-7
Y-IC ist ein Qualitätsvertreiber für Diodenprodukte und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der DMN2400UFD-7 ist ein 20V, 900mA N-Kanal MOSFET von Diodes. Er besticht durch einen niedrigen On-Widerstand von 600mΩ und eine maximale Gate-Source-Spannung von ±11V.
- N-Kanal MOSFET
20V Drain-Source Spannung
900mA Dauer-Drainstrom
Maximaler On-Widerstand von 600mΩ
±11V Gate-Source-Spannung
- Geringer On-Widerstand für verbesserte Effizienz
Hohe Strombelastbarkeit
Breiter Betriebstrombereich
Der DMN2400UFD-7 ist in einem 3-UDFN-Flachgeäshed-Gehaüs verpackt. Er hat eine Leistungsdissipation von 400mW und kann in einem Temperaturbereich von -55°C bis 150°C betrieben werden.
Der DMN2400UFD-7 wird derzeit nicht für neue Designs empfohlen. Kunden sollten unser Vertriebsteam über die Website kontaktieren, um Informationen zu entsprechenden oder alternativen Modellen zu erhalten.
Der DMN2400UFD-7 eignet sich für eine Vielzahl von Anwendungen, darunter:
Energiemanagement
Schaltnetzteile
Motorsteuerung
Audiogeräte
Das wichtigste technische Datenblatt für den DMN2400UFD-7 steht auf unserer Website zum Download bereit. Kunden wird empfohlen, es für detaillierte technische Spezifikationen herunterzuladen.
Kunden werden empfohlen, Angebote für den DMN2400UFD-7 über unsere Website einzuholen. Fordern Sie jetzt ein Angebot an oder erfahren Sie mehr über unser zeitlich begrenztes Angebot.
DMN2400UFB DIODES
DIODES NA
MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN
DMN2400UV D
DMN2400UFDQ DIODES
MOSFET N-CH SOT23
MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3
DIODES SOT563
MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN
MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN
MOSFET 2N-CH 20V 1.33A SOT563
MOSFET N-CH SOT23
MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN
DIODES X2DFN10063
DMN2320UFB4 DIODES
DIODES DFN1212-3
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel





2024/12/4
2025/01/15
2025/07/22
2024/10/23
DMN2400UFD-7Diodes Incorporated |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|