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| Artikelnummer: | ISC019N03L5SATMA1 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $1.3855 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | PG-TDSON-8-5 |
| Serie | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9mOhm @ 30A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 2.5W (Ta), 69W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | 8-PowerTDFN |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2800 pF @ 15 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 44 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 28A (Ta), 100A (Tc) |
| Grundproduktnummer | ISC019 |




ISC019N03L5SATMA1
Y-IC ist ein Qualitätsvertriebspartner für Produkte von Infineon Technologies und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der ISC019N03L5SATMA1 ist ein N-Kanal-MOSFET aus der OptiMOS™-Serie von Infineon Technologies. Er wurde für den Einsatz in verschiedenen Leistungselektronik-Anwendungen entwickelt.
30 V Drain-Source-Spannung (Vdss)\n28 A Dauer-Drain-Strom (Id) bei 25°C Umgebungstemperatur\n100 A Dauer-Drain-Strom (Id) bei 25°C Gehäusetemperatur\nNiediger Rds(on) von 1,9 mΩ bei 30 A und 10 V Gate-Source-Spannung (Vgs)\nMaximale Gate-Source-Spannung (Vgs) von ±20 V\nMaximaler Gate-Ladung (Qg) von 44 nC bei 10 V Vgs\nOberflächenmontage in Gehäuse PG-TDSON-8-5
Hervorragende Leistungsfähigkeit\nGeringe Verluste durch Leitungskriechströme\nEffiziente Wärmeableitung\nZuverlässiges und robustes Design
Der ISC019N03L5SATMA1 ist in einem PG-TDSON-8-5 (8-PowerTDFN) Oberflächenmontagegehäuse verpackt. Das Gehäuse bietet ausgezeichnete thermische Eigenschaften und elektrische Leistungsfähigkeit für effiziente Stromwandlungsanwendungen.
Das ISC019N03L5SATMA1 ist ein aktives Produkt. Es gibt austauschbare oder alternative Modelle, wie z.B. ISC019N03L6SATMA1 und ISC019N03L7SATMA1. Für detaillierte Informationen können Kunden unser Vertriebsteam über die Webseite kontaktieren.
Schaltnetzteile (SMPS)\nMotorantriebe\nIndustrie-Leistungselektronik\nAutomotive-Elektronik
Das zuständige technische Datenblatt für den ISC019N03L5SATMA1 ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden werden empfohlen, das Datenblatt für detaillierte technische Spezifikationen herunterzuladen.
Kunden werden geraten, Angebote über unsere Webseite anzufordern. Holen Sie sich ein Angebot, informieren Sie sich über weitere Details oder nutzen Sie unser zeitlich begrenztes Angebot, um die beste Lösung für Ihre Anforderungen zu finden.
MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON
TRENCH >=100V PG-TSON-8
40V 1.9M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
MOSFET N-CH 40V 193A TDSON-8
TRENCH >=100V PG-TDSON-8
TRENCH <= 40V PG-TDSON-8
MOSFET N-CH 30V 24A/100A TDSON
TRENCH <= 40V PG-TDSON-8
40V 1.5M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
TRENCH >=100V PG-TDSON-8
TRENCH 40<-<100V PG-TDSON-8
DISPLAY OLED 52RGB X 36
40V 2.8M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
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Zielpreis (USD)
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