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| Artikelnummer: | NTMFS4H013NFT1G |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 25V 43A/269A 5DFN |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.6997 |
| 10+ | $0.5708 |
| 30+ | $0.5056 |
| 100+ | $0.4419 |
| 500+ | $0.4027 |
| 1500+ | $0.3825 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.9mOhm @ 30A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 2.7W (Ta), 104W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3923 pF @ 12 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 25 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 43A (Ta), 269A (Tc) |
| Grundproduktnummer | NTMFS4 |
| NTMFS4H013NFT1G Einzelheiten PDF [English] | NTMFS4H013NFT1G PDF - EN.pdf |




NTMFS4H013NFT1G
Y-IC ist ein hochwertiger Distributor von Produkten der Marke onsemi. Wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Serviceleistungen.
Der NTMFS4H013NFT1G ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET-Transistor von onsemi. Er zeichnet sich durch einen niedrigen On-Widerstand und eine hohe Strombelastbarkeit aus, wodurch er sich für verschiedene Anwendungen im Bereich Strommanagement und Steuerung eignet.
– N-Kanal-MOSFET
– Sehr niedriger On-Widerstand (max. 0,9 mΩ bei 30A, 10V)
– Hohe Stromfähigkeit (43A Dauerbetrieb, 269A pulsierend)
– Breiter Gate-Spannungsbereich (±20V)
– Geringe Gate-Ladung (max. 56 nC bei 10V)
– Oberflächenmontagegehäuse (5-DFN, 5x6 mm)
– Effiziente Stromwandlung und Steuerung
– Verbesserte Energieeffizienz in Stromversorgungssystemen
– Kompaktes Design und einfache Integration
Der NTMFS4H013NFT1G wird in einem 8-PowerTDFN-Gehäuse mit 5 Kontakten geliefert. Das Gehäuse ist klein, optimiert für thermische und elektrische Leistungsfähigkeit.
Der NTMFS4H013NFT1G ist derzeit ein auslaufendes Produkt. Kunden werden gebeten, über die Website von Y-IC mit unserem Vertrieb Kontakt aufzunehmen, um Informationen zu Ersatz- oder Alternativmodellen zu erhalten.
– Schaltende Netzteile
– Motorsteuerungen
– Strommanagement-Schaltungen
– Wechselrichter und Umrichter
– Industrie- und Unterhaltungselektronik
Das aktuellste und verbindliche Datenblatt für den NTMFS4H013NFT1G steht auf der Website von Y-IC zum Download bereit. Kunden wird empfohlen, das Datenblatt für vollständige technische Spezifikationen und Konstruktionsinformationen herunterzuladen.
Kunden wird empfohlen, Angebote für den NTMFS4H013NFT1G auf der Website von Y-IC anzufordern. Holen Sie sich ein Angebot, erfahren Sie mehr oder nutzen Sie unser zeitlich begrenztes Angebot, um die besten Preise und Verfügbarkeit zu sichern.
N-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE
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