Deutsch
| Artikelnummer: | NTMFS4H013NFT3G |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 25V 43A/269A 5DFN |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $1.8525 |
| 10+ | $1.5746 |
| 30+ | $1.401 |
| 100+ | $1.2244 |
| 500+ | $1.1434 |
| 1000+ | $1.1086 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.9mOhm @ 30A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 2.7W (Ta), 104W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3923 pF @ 12 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 25 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 43A (Ta), 269A (Tc) |
| Grundproduktnummer | NTMFS4 |
| NTMFS4H013NFT3G Einzelheiten PDF [English] | NTMFS4H013NFT3G PDF - EN.pdf |




NTMFS4H013NFT3G
Y-IC ist ein Qualitätsdistributor von onsemi-Produkten und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der NTMFS4H013NFT3G ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET von onsemi, der mit einem geringen On-Widerstand und hoher Schaltgeschwindigkeit für effiziente Leistungsumwandlungsanwendungen ausgestattet ist.
N-Kanal-MOSFET\nDrain-Source-Spannung: 25V\nKontinuierlicher Drain-Strom (Ta): 43A, (Tc): 269A\nMaximaler On-Widerstand: 0,9mΩ bei 30A, 10V\nMaximaler Gate-Ladung: 56nC bei 10V\nOberflächenmontage-Paket
Geringer On-Widerstand für verbesserte Energieeffizienz\nHohe Schaltgeschwindigkeit für schnelle Leistungsumwandlung\nRobustes Gehäusedesign für zuverlässigen Betrieb
Gehäuse: 8-PowerTDFN, 5 Anschlüsse\nGröße: 5x6mm
Dieses Produkt ist veraltet. Kunden werden gebeten, sich an unser Vertriebsteam zu wenden, um Informationen zu entsprechenden oder alternativen Modellen zu erhalten.
Netzteile\nMotorantriebe\nIndustrieelektronik\nTelekommunikationsausrüstung
Das aktuellste Datenblatt für den NTMFS4H013NFT3G ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden wird empfohlen, es herunterzuladen, um die neuesten Produktinformationen zu erhalten.
Kunden werden empfohlen, Angebote auf unserer Webseite einzuholen. Fordern Sie jetzt ein Angebot für den NTMFS4H013NFT3G oder ähnliche Produkte an.
MOSFET N-CH 25V 43A/269A 5DFN
TRENCH 6 30V NCH
TRENCH 6 30V NCH
MOSFET N-CH 25V 37A/193A 5DFN
MOSFET N-CH 25V 54A/334A 5DFN
MOSFET N-CH 25V 54A/334A 5DFN
TRENCH 6 30V NCH
MOSFET N-CH 25V SO8FL
MOSFET N-CH 40V 28A/172A 5DFN
TRENCH 6 30V NCH
N-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE
TRENCH 6 30V NCH
MOSFET N-CH 25V 37A/193A 5DFN
NFET SO8FL 60V 69A 16MOHM
MOSFET N-CH 25V 54A/334A 5DFN
MOSFET N-CH 25V 37A/193A 5DFN
TRENCH 6 30V NCH
ON QFN
MOSFET N-CH 25V 37A/193A 5DFN
MOSFET N-CH 25V 54A/334A 5DFN
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel





2024/10/16
2025/01/23
2025/06/10
2025/06/24
NTMFS4H013NFT3Gonsemi |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|