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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNTMFS4C302NT1G
onsemi
Image kann eine Darstellung sein.
siehe Spezifikationen für Produktdetails.

onsemi NTMFS4C302NT1G

Artikelnummer: NTMFS4C302NT1G
Hersteller / Marke: AMI Semiconductor/onsemi
Teil der Beschreibung.: MOSFET N-CH 30V 41A/230A 5DFN
Datenblätte:
1.NTMFS4C302NT1G.pdf ···

Umweltinformationen

onsemi RoHS.pdf

PCN -Baugruppe/Herkunft

Wafer Fab Change 17/Oct/2022.pdf

Datenblätter

NTMFS4C302N.pdf

NTMFS4C302NT1G Seite PDF

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  • onsemi NTMFS4C302NT1G technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi NTMFS4C302NT1G .
    Produkteigenschaften Eigenschaften
    VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
    Vgs (Max) ±20V
    Technologie MOSFET (Metal Oxide)
    Supplier Device-Gehäuse 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
    Serie -
    Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.15mOhm @ 30A, 10V
    Verlustleistung (max) 3.13W (Ta), 96W (Tc)
    Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN, 5 Leads
    Paket Tape & Reel (TR)
    Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
    Produkteigenschaften Eigenschaften
    Befestigungsart Surface Mount
    Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5780 pF @ 15 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 82 nC @ 10 V
    Typ FET N-Channel
    FET-Merkmal -
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
    Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V
    Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 41A (Ta), 230A (Tc)
    Grundproduktnummer NTMFS4
    NTMFS4C302NT1G Einzelheiten PDF [English] NTMFS4C302NT1G PDF - EN.pdf
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    - Ursprüngliche Rechnungsnummer
    - Foto der Teile
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  • Qualitätskontrolle (QC)

    Alle Produkte unterliegen strengen Wareneingangsprüfungen und Qualitätskontrollverfahren.
    Wir gewährleisten Teileauthentizität, korrekte Spezifikationen und zuverlässige Leistung durch standardisierte Tests und kontinuierliche Prozessverbesserung.
    Qualitätsgarantie

    Verpackung

    ESD-Antistatischer Schutz.
    Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt und mit ESD-Antistatikschutz versendet. Das Etikett auf der äußeren ESD-Verpackung enthält unsere Firmeninformationen: Teilenummer, Marke und Menge.

    Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, um sicherzustellen, dass sie sich in einwandfreiem Zustand befinden, und verifizieren, dass die Teile neu, original und gemäß den Datenblattspezifikationen sind. Nachdem bestätigt wurde, dass alles in Ordnung ist, verpacken wir die Artikel sicher und versenden sie per internationalem Expressversand.

NTMFS4C302NT1G Produktdetails

Herstellerteilenummer

NTMFS4C302NT1G

Hersteller

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Detaillierte Beschreibung

Der N-Channel-MOSFET ist für eine maximale Drain-Source-Spannung von 30 V ausgelegt und kann einen Dauerstrom von 41 A bei Umgebungstemperatur (Ta) und 230 A bei Gehäusetemperatur (Tc) tragen. Mit einer Leistungsaufnahme von 3,13 W (Ta) bzw. 96 W (Tc) eignet sich dieser Baustein perfekt für Oberflächenmontage im 5-DFN-Gehäuse (5×6 mm, 8-SOFL).

Schlüsselmerkmale

N-Channel-MOSFET

30 V Drain-Source-Spannung

41 A (Ta), 230 A (Tc) Dauer-Drennstrom

3,13 W (Ta), 96 W (Tc) Leistungsaufnahme

Oberflächenmontage im 5-DFN-Gehäuse (5×6 mm, 8-SOFL)

Wichtigste Vorteile

Hohe Stromtragfähigkeit

Geringer On-Widerstand

Kompaktes Oberflächenmontagegehäuse

Verpackung

Gehäuse: 8-PowerTDFN, 5 Anschlüsse

Versorgungspaket: 5-DFN (5×6 mm, 8-SOFL)

Thermische Eigenschaften: 3,13 W (Ta), 96 W (Tc) Leistungsaufnahme

Elektrische Eigenschaften: 30 V Drain-Source-Spannung, 41 A (Ta), 230 A (Tc) Dauer-Drennstrom

Lebenszyklus

Das Produkt befindet sich derzeit nicht in der Auslaufphase.

Es sind gleichwertige oder alternative Modelle erhältlich. Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsteam über unsere Webseite.

Schlüsselanwendungsbereiche

Geeignet für verschiedenste Anwendungen im Bereich Leistungsmanagement und Steuerung, wie z.B. DC-DC-Wandler, Motortreiber und Stromversorgungen.

Datenblatt

Das offizielle Datenblatt für dieses Modell steht auf unserer Website zum Download bereit. Wir empfehlen, es herunterzuladen, um alle technischen Details zu erhalten.

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Benutzerbewertung

  • Geor***cott

    Works fine as a signal component in timing circuits. No issues so far.

    2026/05/12

  • Oliv***arris

    good communication

    2026/05/8

  • Bria***lson

    Reliable FPGA. Worked smoothly in my MCU + signal integration project.

    2026/04/28

  • Jess***Miller

    It works well in my FPGA signal processing setup. Performance is stable and meets the spec without issues so far.

    2026/04/20

  • Powe***sign_Guy

    LM5145RGYR works fine in a DC-DC power design. Efficiency is good, but layout needs to be carefully optimized.

    2026/04/17

  • Powe***ive_

    Used the FF900R12IP4 in an automotive inverter project. Power handling is solid and thermal performance is stable under load.

    2026/04/8

  • Vipe***rcuit

    One unit failed during initial power-up, but the rest were fine. Mixed experience overall.

    2026/03/31

  • Hiro*** T.

    Perfect replacement part. My system worked immediately after installation.

    2026/03/23

  • Yuki***

    Works very well. I used AD8108ASTZ for video switching project. Stable and no noise problem.

    2026/03/20

  • Jaso***.

    Used the AD8108ASTZ in a video routing board and it worked perfectly. Clean switching and no noticeable signal degradation.

    2026/03/9

  • Devo***.

    Exactly as described. Great price for a pack of 10.

    2026/03/4

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    2026/02/28

  • Core***nalSourcing

    Service was efficient and polite. Components were packed well and labels were clear. Appreciated the attention to detail.

    2026/02/3

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    2026/01/28

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    2025/10/22

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    2025/10/9

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