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| Artikelnummer: | NRVBM110LT3G |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE SCHOTTKY 10V 1A POWERMITE |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.3513 |
| 200+ | $0.1359 |
| 500+ | $0.1312 |
| 1000+ | $0.1288 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 415 mV @ 2 A |
| Spannung - Sperr (Vr) (max) | 10 V |
| Technologie | Schottky |
| Supplier Device-Gehäuse | Powermite |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Serie | POWERMITE® |
| Verpackung / Gehäuse | DO-216AA |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 125°C |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 500 µA @ 10 V |
| Strom - Richt (Io) | 1A |
| Kapazität @ Vr, F | - |
| Grundproduktnummer | NRVBM110 |
| NRVBM110LT3G Einzelheiten PDF [English] | NRVBM110LT3G PDF - EN.pdf |




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